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cxk581000atm/aym/am/ap
e92756d53-pp
131072-文字
×
8-位 高 速 cmos 静态的 内存
描述
这 cxk581000atm/aym/am/ap 是 一个 高 速
cmos 静态的 内存 有组织的 作 131072-words 用
8 位.
一个 polysilicon tft cell 技术 认识到 极其 低
保卫- 用 电流 和 高等级的 数据 保持 稳固.
特定的 特性 是 低 电源 消耗量, 高
速 和 broad 包装 线条-向上.
这 cxk581000atm/aym/am/ap ia 一个 合适的
内存 为 可携带的 设备 和 电池 后面的 向上.
特性
•
快 进入 时间:
cxk581000atm/aym/am/ap (进入 时间)
-55ll/55sl 55ns (最大值.)
-70ll/70sl 70ns (最大值.)
-10ll/10sl 100ns (最大值.)
•
低 备用物品 电流:
cxk581000atm/aym/am/ap
-55ll/70ll/10ll 20µA (最大值.)
-55sl/70sl/10sl 12µA (最大值.)
•
低 数据 保持 电流
cxk581000atm/aym/am/ap
-55ll/70ll/10ll 12µA (最大值.)
-55sl/70sl/10sl 4µA (最大值.)
•
单独的 +5v 供应: +5v ±10%
•
低 电压 数据 保持: 2.0v (最小值.)
•
broad 包装 线条-向上
•
cxk581000atm/aym
8mm
×
20mm 32 管脚 tsop 包装
•
CXK581000AM 525mil 32 管脚 sop 包装
•
CXK581000AP 600mil 32 管脚 插件 包装
功能
131072-文字
×
8-位 静态的 内存
结构
硅 门 cmos ic
sony reserves 这 正确的 至 改变 产品 和 规格 没有 较早的 注意. 这个 信息 做 不 convey 任何 执照 用
任何 牵涉 或者 否则 下面 任何 专利权 或者 其它 正确的. 应用 电路 显示, 如果 任何, 是 典型 examples illustrating 这
运作 的 这 设备. sony 不能 假设 责任 为 任何 问题 产生 输出 的 这 使用 的 这些 电路.
块 图解
V
CC
地
OE
我们
CE1
CE2
A10
A11
A9
A8
A13
A15
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
缓存区
行
解码器
记忆
矩阵变换
1024
×
1024
i/o 门
Column
解码器
i/o 缓存区
缓存区
缓存区
i/o 1 i/o 8
CXK581000ATM
32 管脚 tsop (塑料)
CXK581000AYM
32 管脚 tsop (塑料)
CXK581000AM
32 管脚 sop (塑料)
CXK581000AP
32 管脚 插件 (塑料)
-55ll/70ll/10ll
-55sl/70sl/10sl
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