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资料编号:239846
 
资料名称:CXK581000AM
 
文件大小: 288.88K
   
说明
 
介绍:
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
 
 


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– 3
cxk581000atm/aym/am/ap
电的 特性
直流 特性
(v
CC
= 5v ±10%, 地 = 0v, ta = 0 至 = +70°c)
Item 标识 测试 情况 最小值 典型值
1
最大值 单位
输入 泄漏 电流
输出 泄漏 电流
运行 电源
供应 电流
平均 运行
电流
备用物品 电流
输出 高
电压
输出 低
电压
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
SB1
I
SB2
V
OH
V
OL
V
= 地 至 v
CC
ce1 = v
IH
或者 ce2 = v
IL
或者 oe = v
IH
或者 我们 = v
IL
, v
i/o
= 地 至 v
CC
ce1 = v
IL
, ce2 = v
IH
V
= v
IH
或者 v
IL
I
输出
= 0ma
最小值 循环
55ll/55sl
职责 = 100% 70ll/70sl
I
输出
= 0ma
10ll/10sl
循环 时间 1µs
职责 = 100%
I
输出
= 0ma
CE1
0.2v
CE2
V
CC
– 0.2v
V
IL
0.2v
V
IH
V
CC
– 0.2v
CE2
0.2v
或者 ce1
V
CC
– 0.2v
{
CE2
V
CC
– 0.2v
ce1 = v
IH
或者 ce2 = v
IL
I
OH
= –1.0ma
I
OL
= 2.1ma
–1
–1
2.4
1
1
15
90
70
60
20
20
4
2
12
2.4
1
3
0.4
7
45
40
35
10
0.7
0.3
0.6
µA
毫安
µA
毫安
V
0 至 +70°c
LL
2
0 至 +40°c
+25°C
0 至 +70°c
SL
3
0 至 +40°c
+25°C
1V
CC
= 5v, ta = 25°c
2 为 -55ll/70ll/10ll
3 为 -55sl/70sl/10sl
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