8月 3, 2004 文档 非. 38-12013 rev. *f 19
cy8c29x66 初步的 数据 薄板 3. 电的 规格
3.3 直流 电的 特性
3.3.1 直流 碎片-水平的 规格
这 下列的 表格 lists 有保证的 最大 和 最小 规格 为 这 电压 和 温度 范围: 4.75v 至 5.25v
和 -40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
c, 或者 3.0v 至 3.6v 和 -40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
c, 各自. 典型 参数 应用 至 5v 和 3.3v 在 25
°
c 和
是 为 设计 guidance 仅有的.
3.3.2 直流 一般 目的 io 规格
这 下列的 表格 lists 有保证的 最大 和 最小 规格 为 这 电压 和 温度 范围: 4.75v 至 5.25v
和 -40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
c, 或者 3.0v 至 3.6v 和 -40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
c, 各自. 典型 参数 应用 至 5v 和 3.3v 在 25
°
c 和
是 为 设计 guidance 仅有的.
表格 3-4: 直流 碎片-水平的 规格
标识 描述 最小值 Typ 最大值 单位 注释
Vdd 供应 电压 3.00 – 5.25 V
I
DD
供应 电流 – 8 14 毫安
情况 是 5.0v, t
一个
= 25
o
c, cpu = 3 mhz,
48 mhz 无能. vc1 = 1.5 mhz, vc2 = 93.75
khz, vc3 = 0.366 khz.
I
DD3
供应 电流 – 5 9 毫安
情况 是 vdd = 3.3v, t
一个
= 25
o
c, cpu = 3
mhz, 48 mhz = 无能, vc1 = 1.5 mhz, vc2
= 93.75 khz, vc3 = 0.366 khz.
I
DDP
供应 电流 当 imo = 6 mhz 使用 slimo 模式. – 2 3 毫安
情况 是 vdd = 3.3v, t
一个
= 25
o
c, cpu =
0.75 mhz, 48 mhz = 无能, vc1 = 0.375
mhz, vc2 = 23.44 khz, vc3 = 0.09 khz.
I
SB
睡眠 (模式) 电流 和 por, lvd, 睡眠 计时器, wdt,
和 内部的 慢 振荡器 起作用的.
– 3 10
µ
一个 情况 是 和 内部的 慢 速 oscilla-
tor, vdd = 3.3v, -40
o
C
≤
T
一个
≤
55
o
c.
I
SBH
睡眠 (模式) 电流 和 por, lvd, 睡眠 计时器, wdt,
和 内部的 慢 振荡器 起作用的.
– 4 25
µ
一个 情况 是 和 内部的 慢 速 oscilla-
tor, vdd = 3.3v, 55
o
c < t
一个
≤
85
o
c.
I
SBXTL
睡眠 (模式) 电流 和 por, lvd, 睡眠 计时器, wdt,
内部的 慢 振荡器, 和 32 khz 结晶 振荡器 起作用的.
– 4 12
µ
一个 情况 是 和 合适的 承载, 1
µ
w 最大值,
32.768 khz 结晶. vdd = 3.3v, -40
o
C
≤
T
一个
≤
55
o
c.
I
SBXTLH
睡眠 (模式) 电流 和 por, lvd, 睡眠 计时器, wdt,
和 32 khz 结晶 振荡器 起作用的.
– 5 27
µ
一个 情况 是 和 合适的 承载, 1
µ
w 最大值,
32.768 khz 结晶. vdd = 3.3v, 55
o
c < t
一个
≤
85
o
c.
V
REF
涉及 电压 (bandgap) 1.28 1.3 1.32 V 修整 为 适合的 vdd.
表格 3-5: 直流 gpio 规格
标识 描述 最小值 Typ 最大值 单位 注释
R
PU
拉 向上 电阻 4 5.6 8 k
Ω
R
PD
拉 向下 电阻 4 5.6 8 k
Ω
V
OH
高 输出 水平的 vdd - 1.0 – – V ioh = 10 毫安, vdd = 4.75 至 5.25v (8 总的 loads,
4 在 甚至 端口 管脚 (为 例子, p0[2], p1[4]),
4 在 odd 端口 管脚 (为 例子, p0[3], p1[5])).
V
OL
低 输出 水平的 – – 0.75 V iol = 25 毫安, vdd = 4.75 至 5.25v (8 总的 loads,
4 在 甚至 端口 管脚 (为 例子, p0[2], p1[4]),
4 在 odd 端口 管脚 (为 例子, p0[3], p1[5])).
V
IL
输入 低 水平的 – – 0.8 V vdd = 3.0 至 5.25
V
IH
输入 高 水平的 2.1 – V vdd = 3.0 至 5.25
V
H
输入 hysterisis – 60 – mV
I
IL
输入 泄漏 (绝对 值) – 1 – nA gross 测试 至 1
µ
一个.
C
在
电容的 加载 在 管脚 作 输入 – 3.5 10 pF
包装 和 管脚 依赖. 温度 = 25
o
c.
C
输出
电容的 加载 在 管脚 作 输出 – 3.5 10 pF
包装 和 管脚 依赖. 温度 = 25
o
c.
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