8月 3, 2004 文档 非. 38-12013 rev. *f 22
cy8c29x66 初步的 数据 薄板 3. 电的 规格
3.3.5 直流 转变 模式 打气 规格
这 下列的 表格 lists 有保证的 最大 和 最小 规格 为 这 电压 和 温度 范围: 4.75v 至 5.25v
和 -40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
c, 或者 3.0v 至 3.6v 和 -40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
c, 各自. 典型 参数 应用 至 5v 和 3.3v 在 25
°
c 和
是 为 设计 guidance 仅有的.
图示 3-2. 基本 转变 模式 打气 电路
I
SOB
供应 电流 包含 偏差 cell (非 加载)
电源 = 低
电源 = 高
–
0.8
2.0
1
5
毫安
毫安
PSRR
OB
供应 电压 拒绝 比率 60 – – dB
表格 3-10: 直流 转变 模式 打气 (smp) 规格
标识 描述 最小值 典型值 最大值 单位 注释
V
打气
5V 5v 输出 电压 在 vdd 从 打气 4.75 5.0 5.25 V
配置 的 footnote
一个
. 平均, neglecting 波纹. smp
trip 电压 是 设置 至 5.0v.
一个. L
1
= 2
µ
h inductor, c
1
= 10
µ
f 电容, d
1
= 肖特基 二极管. 看 图示 3-2.
V
打气
3V 3v 输出 电压 在 vdd 从 打气 3.00 3.25 3.60 V
配置 的 footnote
一个
. 平均, neglecting 波纹. smp
trip 电压 是 设置 至 3.25v.
I
打气
有 输出 电流
V
BAT
= 1.5v, v
打气
= 3.25v
V
BAT
= 1.8v, v
打气
= 5.0v
8
5
–
–
–
–
毫安
毫安
配置 的 footnote
一个
.
smp trip 电压 是 设置 至 3.25v.
smp trip 电压 是 设置 至 5.0v.
V
BAT
5V 输入 电压 范围 从 电池 1.8 – 5.0 V
配置 的 footnote
一个
. smp trip 电压 是 设置 至 5.0v.
V
BAT
3V 输入 电压 范围 从 电池 1.0 – 3.3 V
配置 的 footnote
一个
. smp trip 电压 是 设置 至 3.25v.
V
BATSTART
最小 输入 电压 从 电池 至
开始 打气
1.2 – – V
配置 的 footnote
一个
. 0
o
C
≤
T
一个
≤
100. 1.25v 在 t
一个
= -
40
o
c.
∆
V
打气_线条
线条 规章制度 (在 v
BAT
范围) – 5 – %V
O
配置 的 footnote
一个
. v
O
是 这 “vdd 值 为 打气
trip” 指定 用 这 vm[2:0] 设置 在 这 直流 por 和
lvd 规格,表格 3-14 在 页 24.
∆
V
打气_加载
加载 规章制度 – 5 – %V
O
配置 的 footnote
一个
. v
O
是 这 “vdd 值 为 打气
trip” 指定 用 这 vm[2:0] 设置 在 这 直流 por 和
lvd 规格,表格 3-14 在 页 24.
∆
V
打气_波纹
输出 电压 波纹 (取决于 在 capaci-
tor/加载)
– 100 – mVpp
配置 的 footnote
一个
. 加载 是 5 毫安.
E
3
效率 35 50 – %
配置 的 footnote
一个
. 加载 是 5 毫安. smp trip 电压
是 设置 至 3.25v.
F
打气
切换 频率 – 1.4 – MHz
直流
打气
切换 职责 循环 – 50 – %
表格 3-9: 3.3v 直流 相似物 输出 缓存区 规格
(持续)
电池
C1
D1
+
PSoC
TM
Vdd
Vss
SMP
V
BAT
V
PUMP
L
1
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