九月 8, 2004 文档 非. 38-12028 rev. *b 17
cy8c24x23a 最终 数据 薄板 3. 电的 规格
3.3 直流 电的 特性
3.3.1 直流 碎片-水平的 规格
这 下列的 表格 lists 有保证的 最大 和 最小 规格 为 这 电压 和 温度 范围: 4.75v 至 5.25v
和 -40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
c, 3.0v 至 3.6v 和 -40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
c, 或者 2.4v 至 3.0v 和 -40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
c, 各自. 典型 参数
应用 至 5v, 3.3v, 和 2.7v 在 25
°
c 和 是 为 设计 guidance 仅有的.
表格 3-4. 直流 碎片-水平的 规格
标识 描述 最小值 Typ 最大值 单位 注释
Vdd 供应 电压 2.4 – 5.25 V 看 直流 por 和 lvd 规格,Ta ble 3 -
18 在 页 27.
I
DD
供应 电流 – 5 8 毫安
情况 是 vdd = 5.0v, t
一个
= 25
o
c, cpu = 3
mhz, sysclk doubler 无能, vc1 = 1.5
mhz, vc2 = 93.75 khz, vc3 = 93.75 khz, ana-
log 电源 = 止.
I
DD3
供应 电流 – 3.3 6.0 毫安
情况 是 vdd = 3.3v, t
一个
= 25
o
c, cpu = 3
mhz, sysclk doubler 无能, vc1 = 1.5
mhz, vc2 = 93.75 khz, vc3 = 93.75 khz, ana-
log 电源 = 止.
I
DD27
供应 电流 当 imo = 6 mhz 使用 slimo 模式. – 2 4 毫安
情况 是 vdd = 3.3v, t
一个
= 25
o
c, cpu =
0.75 mhz, 48 mhz = 无能, vc1 = 0.375
mhz, vc2 = 23.44 khz, vc3 = 0.09 khz, 相似物
电源 = 止.
I
SB
睡眠 (模式) 电流 和 por, lvd, 睡眠 计时器, 和
wdt.
一个
一个. 备用物品 电流 包含 所有 功能 (por, lvd, wdt, 睡眠 时间) 需要 为 可依靠的 系统 operation. 这个 应当 是 compared 和 设备 那 有 类似的 功能
使能.
– 3 6.5
µ
一个 情况 是 和 内部的 慢 速 oscilla-
tor, vdd = 3.3v, -40
o
C
≤
T
一个
≤
55
o
c, 相似物
电源 = 止.
I
SBH
睡眠 (模式) 电流 和 por, lvd, 睡眠 计时器, 和
wdt 在 高 温度.
一个
– 4 25
µ
一个 情况 是 和 内部的 慢 速 oscilla-
tor, vdd = 3.3v, 55
o
c < t
一个
≤
85
o
c, 相似物
电源 = 止.
I
SBXTL
睡眠 (模式) 电流 和 por, lvd, 睡眠 计时器, wdt,
和 外部 结晶.
一个
– 4 7.5
µ
一个 情况 是 和 合适的 承载, 1
µ
w 最大值,
32.768 khz 结晶. vdd = 3.3v, -40
o
C
≤
T
一个
≤
55
o
c, 相似物 电源 = 止.
I
SBXTLH
睡眠 (模式) 电流 和 por, lvd, 睡眠 计时器, wdt,
和 外部 结晶 在 高 温度.
一个
– 5 26
µ
一个 情况 是 和 合适的 承载, 1
µ
w 最大值,
32.768 khz 结晶. vdd = 3.3 v, 55
o
c < t
一个
≤
85
o
c, 相似物 电源 = 止.
V
REF
涉及 电压 (bandgap) 1.28 1.30 1.33 V 修整 为 适合的 vdd. vdd > 3.0v.
V
REF27
涉及 电压 (bandgap) 1.16 1.30 1.33 V 修整 为 适合的 vdd. vdd = 2.4v 至
3.0v.
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