SST89E516RD2-40-I-TQJ_集成电路资料查询网

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初步的 规格
flashflex51 mcu
sst89e52rd2 / sst89e54rd2 / sst89e58rd2 / sst89e516rd2
sst89v52rd2 / sst89v54rd2 / sst89v58rd2 / sst89v516rd2
©2004 硅 存储 技术, 公司 s71255-00-000 3/04
图示 3-5: I
NTERNAL
和
E
XTERNAL
D
ATA
M
EMORY
S
TRUCTURE
000H
2FFH
00H
FFH
upper 128 字节
内部的 内存
更小的 128 字节
内部的 内存
(间接的 &放大; 直接
寻址)
(间接的 寻址) (直接 寻址)
特定的
函数
寄存器
(sfrs)
80H
FFH
FFFFH
000H
外部
数据
记忆
2FFH
0000H
外部
数据
记忆
extram = 0 extram = 1
expanded 内存
0300H
(间接的 寻址)
FFFFH
(间接的 寻址) (间接的 寻址)
80H
7FH
1255 f05.0
Expanded
内存
768 字节

标　题:
内　容:
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16 初步的规格 flashflex51 mcu sst89e52rd2 / sst89e54rd2 / sst89e58rd2 / sst89e516rd2 sst89v52rd2 / sst89v54rd2 / sst89v58rd2 / sst89v516rd2 ©2004 硅存储技术, 公司 s71255-00-000 3/04 图示 3-5: I NTERNAL 和 E XTERNAL D ATA M EMORY S TRUCTURE 000H 2FFH 00H FFH upper 128 字节内部的内存更小的 128 字节内部的内存 (间接的 &放大; 直接寻址) (间接的寻址) (直接寻址) 特定的函数寄存器 (sfrs) 80H FFH FFFFH 000H 外部数据记忆 2FFH 0000H 外部数据记忆 extram = 0 extram = 1 expanded 内存 0300H (间接的寻址) FFFFH (间接的寻址) (间接的寻址) 80H 7FH 1255 f05.0 Expanded 内存 768 字节

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