16ria 序列
公告 i2404 rev. 一个 07/00
2
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电压 V
DRM
/v
RRM
, 最大值 repetitive V
RSM
, 最大 非- I
DRM
/i
RRM
最大值
类型 号码 代号 顶峰 和 止-状态 电压 (1) repetitive 顶峰 电压 (2)
@ t
J
= t
J
最大值
VVmA
10 100 150 20
20 200 300
40 400 500
60 600 700
16RIA 80 800 900 10
100 1000 1100
120 1200 1300
140 1400 1500
160 1600 1700
I
t(av)
最大值 平均 在-状态 电流 16 16 一个 180° sinusoidal 传导
@ 情况 温度 85 85 °C
I
t(rms)
最大值 rms 在-状态 电流 35 35 一个
I
TSM
最大值 顶峰, 一个-循环 340 225 一个 t = 10ms 非电压
非-repetitive surge 电流 360 235 t = 8.3ms reapplied
285 190 t = 10ms 100% v
RRM
300 200 t = 8.3ms reapplied sinusoidal half 波,
I
2
t 最大 i
2
t 为 fusing 574 255 一个
2
s t = 10ms 非 电压 最初的 t
J
= t
J
最大值
524 235 t = 8.3ms reapplied
405 180 t = 10ms 100% v
RRM
375 165 t = 8.3ms reapplied
I
2
√
t 最大 i
2
√
t 为 fusing 5740 2550 一个
2
√
s t = 0.1 至 10ms, 非 电压 reapplied, t
J
= t
J
最大值
V
t(至)1
低 水平的 值 的 门槛 0.97 1.14 V (16.7% x
π
x i
t(av)
< i <
π
x i
t(av)
), t
J
= t
J
最大值
电压
V
t(至)
2
高 水平的 值 的 门槛 1.24 1.31 (i >
π
x i
t(av)
), t
J
= t
J
最大值
电压
r
t1
低 水平的 值 的 在-状态 17.9 14.83 m
Ω
(16.7% x
π
x i
t(av)
< i <
π
x i
t(av)
), t
J
= t
J
最大值
斜度 阻抗
r
t2
高 水平的 值 的 在-状态 13.6 12.03 (i >
π
x i
t(av)
), t
J
= t
J
最大值
斜度 阻抗
V
TM
最大值 在-状态 电压 1.75 --- V I
pk
= 50 一个, t
J
= 25°c
--- 1.80
I
H
最大 支持 电流 130 毫安 T
J
= 25°c. anode 供应 6v, resistive 加载,
I
L
闭锁 电流 200
16RIA
10 至 120 140 至 160
参数 单位 情况
电的 规格
电压 比率
在-状态 传导
(1)
单位 将 是 broken 在 非-repetitively 在 这 止-状态 方向 没有 损坏, 如果 di/dt 做 不 超过 20a/µs
(2)
为 电压 脉冲 和 t
p
≤
5ms