ad8605/ad8606/ad8608
rev. d | 页 15 的 20
R
S
C
S
R
L
C
L
V+
V–
4
2
3
8
1
AD8605
V
在
200mV
02731-d-049
图示 48. snubber 网络 配置
时间 (10
µ
s/div)
VOLTAge (100mv/div)
V
S
= ±2.5v
一个
V
= 1
R
L
= 10k
Ω
R
S
= 90
Ω
C
L
= 1,000pf
C
S
= 700pf
02731-d-048
图示 49. 电容的 加载 驱动 和 snubber
表格 5 summarizes 一个 few 最佳的 值 为 电容的 负载.
表格 5.
C
L
(pf)
R
S
(Ω) C
S
(pf)
500 100 1,000
1,000 70 1,000
2,000 60 800
一个 alternate 技巧 是 至 insert 一个 序列 电阻 inside 这
反馈 循环 在 这 输出 的 这 放大器. 典型地, 这 值
的 这个 电阻 是 大概 100 Ω. 这个 方法 也
减少 越过 和 ringing 但是 导致 一个 减少 在 这
最大 输出 摆动.
明亮的 敏锐的
这 ad8605acb (microcsp 包装 选项) 是 essentially
一个 硅 消逝 和 额外的 邮递 fabrication dielectric 和
intermetallic 处理 设计 至 联系 焊盘 bumps 在
这 起作用的 一侧 的 这 碎片. 和 这个 包装 类型, 这 消逝 是
exposed 至 包围的 明亮的 和 是 主题 至 photoelectric 影响.
明亮的 敏锐的 分析 的 这 ad8605acb 挂载 在
标准 pcb 材料 reveals 那 仅有的 这 输入 偏差 电流
(i
B
) 参数 是 impacted 当 这 包装 是 illuminated
直接地 用 高 强烈 明亮的. 非 降级 在 电的
效能 是 observed 预定的 至 illumination 用 低 强烈
(0.1 mw/cm
2
) 包围的 明亮的. 图示 50 显示 那 i
B
增加
和 增加 wavelength 和 强烈 的 incident 明亮的;
I
B
能 reach 水平 作 高 作 4500 pa 在 一个 明亮的 强烈 的
3 mw/cm
2
和 一个 wavelength 的 850 nm. 这 明亮的 intensities
显示 在 图示 50 是 不 正常的 为 大多数 产品, i.e.,
甚至 though 直接 sunlight 能 有 intensities 的 50 mw/cm
2
,
办公室 包围的 明亮的 能 是 作 低 作 0.1 mw/cm
2
.
当 这 microcsp 包装 是 聚集 在 这 板 和
这 bump-一侧 的 这 消逝 facing 这 pcb, 反映 明亮的 从 这
pcb 表面 是 incident 在 起作用的 硅 电路 areas 和 结果
在 这 增加 i
B
. 非 效能 降级 occurs 预定的 至
illumination 的 这 backside (基质) 的 这 ad8605acb.
这 ad8605acb 是 特别 敏感的 至 incident 明亮的 和
wavelengths 在 这 near infrared 范围 (nir, 700 nm 至 1000
nm). photons 在 这个 waveband 有 一个 变长 wavelength 和
更小的 活力 比 photons 在 这 visible (400 nm 至 700 nm)
和 near ultraviolet bands (nuv, 200 nm 至 400 nm); 因此,
它们 能 penetrate 更多 deeply 在 这 起作用的 硅. incident
明亮的 和 wavelengths 更好 比 1100 nm 有 非 photo-
electric 效应 在 这 ad8605acb 因为 硅 是 trans-
parent 至 波 长度 在 这个 范围. 这 谱的 内容 的
常规的 明亮的 来源 varies: sunlight 有 一个 broad 谱的
范围, 和 顶峰 强烈 在 这 visible 带宽 那 falls 止 在 这
nuv 和 nir bands; fluorescent lamps 有 重大的 顶峰
在 这 visible 但是 不 在 这 nuv 或者 nir bands.
努力 有 被 制造 在 一个 产品 水平的 至 减少 这 效应
的 包围的 明亮的; 这 下面 bump metal (ubm) 有 被
设计 至 shield 这 敏感的 电路 areas 在 这 起作用的 一侧
(bump-一侧) 的 这 消逝. 不管怎样, 如果 一个 应用 encounters
任何 明亮的 敏锐的 和 这 ad8605acb, 防护 这 bump
一侧 的 这 microcsp 包装 和 opaque 材料 应当
eliminate 这个 效应. 防护 能 是 accomplished 使用
材料 此类 作 silica filled liquid epoxies 那 是 使用 在
flip 碎片 underfill 技巧.
wavelength (nm)
3500
0
350
输入 偏差 电流 (pa)
2500
3000
2000
500
1000
1500
450 550 650 750 850
1mw/cm
2
4000
4500
5000
3mw/cm
2
2mw/cm
2
02731-d-050
图示 50. ad8605acb 输入 偏差 电流 回馈 至 直接 illumination 的
varying 强烈 和 wavelength
microcsp 组装 仔细考虑
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可靠性, 谈及 至 adi 应用 便条 一个-617 在 这 adi
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