ad8651/ad8652
rev. b | 页 15 的 20
输入 保护
作 和 任何 半导体 设备, 如果 一个 情况 可以 exist 为
这 输入 电压 至 超过 这 电源 供应, 这 设备的 输入
超（电）压 典型的 必须 是 考虑. 这 输入 的 这
ad8651 是 保护 和 静电释放 二极管 至 也 电源 供应.
excess 输入 电压 将 energize 内部的 pn 汇合处 在 这
ad8651, 准许 电流 至 流动 从 这 输入 至 这
供应. 这个 结果 在 一个 输入 平台 和 picoamps 的 输入
电流 那 能 承受 向上 至 4000 v 静电释放 events (人
身体 模型) 和 非 降级.
过度的 电源 消耗 通过 这 保护 设备 将
destroy 或者 降级 这 效能 的 任何 放大器. differen-
tial 电压 更好 比 7 v 将 结果 在 一个 输入 电流 的
大概 (|v
CC
– v
EE
| – 0.7 v)/r
I
, 在哪里 r
I
是 这
阻抗 在 序列 和 这 输入. 为 输入 电压 在之外
这 积极的 供应, 这 输入 电流 将 是 大概 (v
I
– v
CC
– 0.7)/r
I
. 为 输入 电压 在之外 这 负的 供应,
这 输入 电流 将 是 关于 (v
I
– v
EE
+ 0.7)/r
I
. 如果 这 输入
的 这 放大器 支持 差别的 电压 更好 比 7 v 或者
输入 电压 在之外 这 放大器 电源 供应, 限制 这
输入 电流 至 10 毫安 用 使用 一个 appropriately sized 输入
电阻 (r
I
), 作 显示 在 图示 54.
+
–
(| v
CC
– v
EE
| – 0.7v)
30mA
为 大 | v
CC
– v
EE
|
为 v
I
在之外
供应 电压
R
I
>
R
I
–V
I
+
+V
O
30mA
(v
I
– v
EE
+ 0.7v)
R
I
>
30mA
(v
I
– v
EE
– 0.7v)
R
I
>
AD8651
03301-b-055
图示 54. 输入 保护 方法
overdrive 恢复
overdrive 恢复 是 定义 作 这 时间 它 takes 为 这 输出
的 一个 放大器 至 来到 止 这 供应 栏杆 之后 一个 超载
信号 是 initiated. 这个 是 通常地 测试 用 放置 这 放大器
在 一个 关闭-循环 增益 的 15 和 一个 输入 正方形的 波 的
200 mv p-p 当 这 放大器 是 powered 从 也 5 v 或者
3 v. 这 ad8651 有 极好的 恢复 时间 从 超载
情况 (看 图示 31 和 图示 32). 这 输出 recovers
从 这 积极的 供应 栏杆 在里面 200 ns 在 所有 供应 电压.
恢复 从 这 负的 栏杆 是 在里面 100 ns 在 5 v 供应.
布局, grounding, 和 bypassing
仔细考虑
电源 供应 bypassing
电源 供应 管脚 能 act 作 输入 为 噪音, 所以 小心 必须 是
带去 那 一个 噪音-自由, 稳固的 直流 电压 是 应用. 这 目的
的 绕过 电容 是 至 create 低 阻抗 从 这 供应
至 地面 在 所有 发生率, 因此 shunting 或者 过滤 大多数
的 这 噪音. bypassing schemes 是 设计 至 降低 这
供应 阻抗 在 所有 发生率 和 一个 并行的 结合体
的 电容 的 0.1 µf 和 4.7 µf. 碎片 电容 的 0.1 µf
(x7r 或者 npo) 是 核心的 和 应当 是 作 关闭 作 可能 至
这 放大器 包装. 这 4.7 µf tantalum 电容 是 较少
核心的 为 高 频率 bypassing, 和, 在 大多数 具体情况, 仅有的
一个 是 需要 每 板 在 这 供应 输入.
Grounding
一个 地面 平面 layer 是 重要的 为 densely packed pc
boards 至 展开 这 电流-降低 parasitic inductances.
不管怎样, 一个 understanding 的 在哪里 这 电流 flows 在 一个
电路 是 核心的 至 implementing 有效的 高 速 电路
设计. 这 长度 的 这 电流 path 是 直接地 均衡的 至
这 巨大 的 parasitic inductances 和, 因此, 这 高
频率 阻抗 的 这 path. 高 速 电流 在 一个
inductive 地面 返回 将 create 一个 unwanted 电压 噪音.
这 长度 的 这 高 频率 绕过 电容 leads 是
核心的. 一个 parasitic 电感 在 这 绕过 grounding 将
工作 相反 这 低 阻抗 创建 用 这 绕过 电容.
放置 这 地面 leads 的 这 绕过 电容 在 这 一样
物理的 location. 因为 加载 电流 也 流动 从 这
供应, 这 地面 为 这 加载 阻抗 应当 是 在 这
一样 物理的 location 作 这 绕过 电容 grounds. 为 这
大 值 电容, 将 至 是 有效的 在 更小的 fre-
quencies, 这 电流 返回 path 距离 是 较少 核心的.
泄漏 电流
poor pc 板 布局, contaminants, 和 这 板 隔热
材料 能 create 泄漏 电流 那 是 更 大 比
这 输入 偏差 电流 的 这 ad8651/ad8652. 任何 电压
差别的 在 这 输入 和 nearby 查出 将 设置 向上
泄漏 电流 通过 这 pc 板 隔热, 为 例子,
1 v/100 g = 10 pa. similarly, 任何 contaminants 在 这 板
能 create 重大的 泄漏 (skin oils 是 一个 一般 问题).
至 significantly 减少 leakages, 放 一个 守卫 环绕 (shield)
周围 这 输入 和 输入 leads 那 是 驱动 至 这 一样
电压 潜在的 作 这 输入. 这个 确保 那 那里 是 非
电压 潜在的 在 这 输入 和 这 surrounding 范围
至 设置 向上 任何 泄漏 电流. 至 是 有效的, 这 守卫 环绕
必须 是 驱动 用 一个 相当地 低 阻抗 源 和 应当
完全地 surround 这 输入 leads 在 所有 sides, 在之上 和
在下, 使用 一个 multilayer 板.
另一 效应 那 能 导致 泄漏 电流 是 这 承担
absorption 的 这 隔热 材料 它自己. 降低 这
数量 的 材料 在 这 输入 leads 和 这 守卫
环绕 将 帮助 至 减少 这 absorption. 也, 低 absorption
材料, 此类 作 teflon® 或者 陶瓷的, 将 是 需要 在
一些 instances.
输入 电容
along 和 bypassing 和 地面, 高 速 放大器 能 是
敏感的 至 parasitic 电容 在 这 输入 和
地面. 一个 few picofarads 的 电容 将 减少 这 输入
阻抗 在 高 发生率, 这个 在 转变 增加 这
放大器’s 增益, 造成 peaking 在 这 频率 回馈 或者
: 点此下载
