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资料编号:250836
 
资料名称:SSTD89A
 
文件大小: 31.97K
   
说明
 
介绍:
N-Channel JFET with Built-In Self-Biased Diodes
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
SSTD89A
vishay siliconix
新 产品
www.siliconix.com
faxback 408-970-5600
2
文档 号码: 71092
s-02336
rev. b, 23-oct-00



参数 标识
测试 情况
最小值 Typ
一个
最大值 单位
静态的
门-源 损坏 电压 V
(br)gss
V
GS
= 0 v, i
G
= 1
一个
15
21
门-源 截-止 电压 V
gs(止)
V
DS
= 10 v, i
D
= 100 na
0.3
1.2
V
饱和 电流 I
DSS
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v 1.1 毫安
运行 电流 I
d(运算)
看 图示 1 10 50
一个
门-反转 电流 I
GSS
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0 v 5 100
流 截-止 电流
b
I
d(止)
V
DS
= 15 v, v
GS
=
5 v 2
pA
二极管 向前 跨导 V
F
I
F
= 1 毫安 0.5 0.7
门-源 向前 电压 V
gs(f)
V
DS
= 0 v, i
G
= 1 毫安 0.7
V
动态
一般-源 向前
跨导
gfs V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v, f = 1 mhz 0.7 1.5 mS
一般-源 输入 电容 C
iss
3.8
一般-源
反转 转移 电容
C
rss
V
DS
= 15 v, v
GS
= 0 v, f = 1 mhz
2.1
pF
相等的 输入 噪音 电压 e
n
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v, f = 1 mhz 5
nv/s
qrt (hz)
注释
一个. 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试: pw
300
s 职责 循环
2%.
c. 切换 时间 是 essentially 独立 的 运行 温度.

G
内部的
二极管
22 k
V
gs(运算)
S
D
SSTD89A
图示 1.
1.2 v
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