输出 平台
Poor 电流 能力 和 低 截止 频率
是 好 知道 限制 的 这 标准 lateral pnp.
Composite pnp-npn 电源 输出 stages 有
被 widely 使用, regardless 它们的 高 饱和
漏出. 这个 漏出 能 是 克服 仅有的 在 这 ex-
pense 的 外部 组件, namely, 这 激励-
strap 电容. 这 有效性 的 4A 分开的
集电级 PNP (icv pnp) adds versatility 至 这
设计. 这 效能 的 这个 组件, 在
条款 的 增益, V
CEsat
和 截-止 频率, 是
显示 在 图. 29, 30, 31 各自. 它 是 认识到
在 一个 新 双极 技术, 典型 用 顶-
bottom 分开 技巧s, 准许 这 imple-
mentation 的 低 泄漏 diodes, too. 它 guaran-
tees BV
CEO
> 20V 和 BV
CBO
> 50V 两个都 为
NPN 和 PNP 晶体管. basically, 这 connec-
tion 显示 在 图. 32 有 被 选择. 第一 的 所有
因为 它的 电压 摆动 是 栏杆-至-栏杆, 限制
仅有的 用 the VCEsat 的 这 输出 晶体管,
这个 是 在 这 范围 的 0.3
Ω
各自. 然后, 这
增益 vout/vin 是 更好 比 统一体, approxi-
mately 1+r2/r1. (vcc/2 是 fixed 用 一个 auxiliary
放大器 一般 至 两个都 频道). 它 是 可能,
controlling 这 数量 的 这个 local 反馈, 至
强迫 这 循环 增益 (一个 *
β
) 至 较少 比 统一体 在 fre-
quencies 为 这个 这 阶段 变换 是 180
°
. 这个
意思 那 这 输出 缓存区 是 intrinsically 稳固的
和 不 prone 至 振动.
在 contrast, 和 这 电路 的 图. 33, 这 解决方案
adopted 至 减少 the 增益 在 高 发生率 是
这 使用 的 一个 外部 RC 网络.
放大器 块 图解
这 块 图解 的 各自 电压 放大器 是
显示 在 图. 34. Regardless 的 生产
展开, 这 电流 在 各自 最终 平台 是 保持 低,
和 足够的 余裕 在 这 最小, 在下 这个
交叉-在 扭曲量 将 呈现.
图示 29:
ICV - PNP 增益 vs. I
C
图示 30:
ICV - PNP V
ce(sat
) vs. I
C
图示 31:
ICV - PNP 截-止 频率 vs. I
C
图示 32:
这 新 输出 平台
TDA7360
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