DAC8501
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SBAS212A
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典型 特性: v
DD
= +2.7v
(内容.)
在 t
一个
= +25
°
c, 和 +v
DD
= +2.7v, 除非 否则 指出.
theory 的 运作
dac 部分
这 architecture 组成 的 一个 string dac followed 用 一个
输出 缓存区 放大器. 图示 1 显示 一个 块 图解 的 这
dac architecture.
这 输入 编码 至 这 dac8501 是 笔直地 二进制的, 所以 这
完美的 输出 电压 是 给 用:
VV
D
输出
REF
=•
65536
在哪里 d = decimal 相等的 的 这 二进制的 代号 那 是
承载 至 这 dac 寄存器; 它 能 范围 从 0 至 65535.
图示 1. dac8501 architecture.
图示 2. 电阻 string.
电阻 string
这 电阻 string 部分 是 显示 在 图示 2, 它 是 simply 一个
string 的 电阻器, 各自 的 值 r. 这 代号 承载 在 这
dac 寄存器 确定 在 这个 node 在 这 string 这 电压
是 抽头的 止 至 是 喂养 在 这 输出 放大器 用 closing 一个
的 这 switches 连接 这 string 至 这 放大器. 它 是
保证 monotonic 因为 它 是 一个 string 的 电阻器.
dac 寄存器
ref (+)
电阻 string
ref(
–
)
输出
放大器
地
V
DD
V
输出
V
FB
至 输出
放大器
R
R
R
R
R
代号 改变 glitch
时间 (2
µ
s/div)
V
输出
(20mv/div)
glitch 波形 (20mv/div)
(1)
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