这 dalc208sc6 是 特别 优化 至
执行 surge 保护 为基础 在 这 栏杆 至 栏杆
topology.
这 夹紧 电压 v
CL
能 是 计算 作
follow :
V
CL
+ = v
REF2
+ v
F
为 积极的 surges
V
CL
- = v
REF1
-
V
F
为 负的 surges
和 : V
F
= v
t
+ rd.ip
(v
F
向前 漏出 电压) / (v
t
向前 漏出
门槛 电压)
符合 至 这 曲线 图.5 在 页 3, 我们
假设 那 这 值 的 这 动态 阻抗 的
这 夹紧 二极管 是 典型地 rd = 0.7
Ω
和 v
t
=
1.2v.
为 一个 iec 1000-4-2 surge 水平的 4 (联系
释放: vg=8kv, rg=330
Ω
), v
REF2
= +5v,
V
REF1
= 0v, 和 如果 在 第一 approximation, 我们
假设 那 : ip=vg/rg
≈
24a.
所以, 我们 find:
V
CL
+
≈
+23V
V
CL
-
≈
-18v
便条:
这 calculations 做 不 引领 在 账户
phenomena 预定的 至 parasitic inductances
应用 例子
如果 我们 考虑 那 这 连接 从 这 管脚
REF
2
至 v
CC
和 从 ref
1
至 地 是 完毕 用
二 轨道 的 10mm 长 和 0.5mm 大; 我们
假设 那 这 parasitic inductances 的 这些
轨道 是 关于 6nh.
所以 当 一个 iec 1000-4-2 surge occurs, 预定的 至 这
上升 时间 的 这个 尖刺 (tr=1ns), 这 电压 v
CL
有
一个 extra 值 equal 至 lw.di/dt.
这 di/dt 是 计算 作: di/dt = ip/tr
≈
24 一个/ns
这 超（电）压 预定的 至 这 parasitic inductances
是: lw.di/dt = 6 x 24
≈
144V
用 带去 在 账户 这 效应 的 这些 parasitic
inductances 预定的 至 unsuitable 布局, 这 夹紧
电压 将 是 :
V
CL
+ = +23 + 144
≈
167V
V
CL
- = -18 - 144
≈
-162v
我们 能 减少 作 更 作 可能 这些
phenomena 和 简单的 布局 optimization.
它’s 这 reason why 一些 recommendations 有
至 是 followed (
看 paragraph "如何 至 确保 一个
好的 静电释放 保护"
).
技术的 信息
surge 保护
图. a1:
静电释放 行为; parasitic phenomena 预定的 至 unsuitable
布局.
Lw
vi/o
静电释放
SURGE
REF1=GND
i/o
REF2=+Vcc
Vf
Lw
di
dt
Lw
di
dt
vcl+ =
Vcc+Vf+
Lw
di
dt
surge >0
-vf-
Lw
di
dt
surge <0
vcl- =
t
tr=1ns
Vcc+Vf
Lw
di
dt
Vcl+
积极的
SURGE
167V
-lw
di
dt
t
tr=1ns
-vf
vcl-
负的
SURGE
-162v
DALC208SC6
4/10
: 点此下载
