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dd200/s – dd206/s
20a 8.4mm/9.5mm dish 二极管
特性
!
glass 钝化的 消逝 构建
!
低 泄漏
!
低 费用 c
!
高 surge 电流 能力
!
低 向前
!
c-带宽 终端 构建 d
机械的 数据
B
!
情况: 所有 铜 情况 和 组件
hermetically sealed 一个
!
terminals: 联系 areas readily solderable
!
极性: cathode 至 情况(反转 单位 是
有 在之上 要求 和 是 designated
用 一个 “r” 后缀, i.e. dd202r 或者 dd204sr)
!
极性: red 颜色 相等 标准,
黑色 颜色 相等 反转 极性
!
挂载 位置: 任何
“s” 后缀 designates 8.4mm dish
非 后缀 designates 9.5mm dish
最大 比率 和 电的 特性
@T
一个
=25°c 除非 否则 指定
单独的 阶段, half 波, 60hz, resistive 或者 inductive 加载.
为 电容的 加载, 减额 电流 用 20%.
典型的 标识
dd200/
S
dd201/
S
dd202/
S
dd203/
S
dd204/
S
dd205/
S
dd206/
S
单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压
V
RRM
V
RWM
V
R
50 100 200 300 400 500 600 V
rms 反转 电压 V
r(rms)
35 70 140 210 280 350 420 V
平均 调整的 输出 电流 @t
一个
= 150°c I
O
20 一个
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流
8.3ms 单独的 half sine-波 superimposed 在
评估 加载 (电子元件工业联合会 方法)
I
FSM
400 一个
向前 电压 @i
F
= 20a V
FM
1.1 V
顶峰 反转 电流 @t
一个
= 25°c
在 评估 直流 blocking 电压 @t
一个
= 100°c
I
RM
100
500
µA
典型 接合面 电容 (便条 1) C
j
300 pF
典型 热的 阻抗 接合面 至 情况
(便条 2)
R
JC
1.0 k/w
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
STG
-65 至 +175 °C
便条: 1. 量过的 在 1.0 mhz 和 应用 反转 电压 的 4.0v d.c.
2. 热的 阻抗: 接合面 至 情况, 单独的 一侧 cooled.
WTE
电源 半导体
8.4mm dish 9.5mm dish
Dim 最小值 最大值 最小值 最大值
一个
8.35 8.45 9.50 9.72
B
2.0 2.16 2.0 2.16
C
1.43 1.47 1.43 1.47
D
22.3 — 22.3 —
所有 维度 在 mm
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