DG201HS
4 Siliconix
e-77071—rev. e, 01-sep-97
情况 除非
否则 指定
v+ = 10.8 v 至 16.5 v
一个 后缀
–55 至 125
C
d 后缀
–40 至 85
C
参数 标识
v+ = 10.8 v 至 16.5 v
v– = 地 = 0 v
V
在
= 3 v, 0.8 v
f
温度
b
Typ
c
最小值
d
最大值
d
最小值
d
最大值
d
单位
相似物 转变
相似物 信号 范围
e
V
相似物
全部 0 V+ 0 V+ V
流-源 在-阻抗 r
ds(在)
I
S
= –10 毫安, v
D
= 8.5 v
v+ = 10.8 v
房间
全部
65 90
120
90
120
转变 止 泄漏 电流
I
s(止)
v+ = 16.5 v, v
S
= 0.5 v, 10 v
V 10V05V
房间
全部
0.1 –1
–60
1
60
–1
–20
1
20
转变 止 泄漏 电流
I
d(止)
,
S
,
V
D
= 10 v, 0.5 v
房间
全部
0.1 –1
–60
1
60
–1
–20
1
20
nA
频道 在 泄漏 电流
I
d(在)
+
I
s(在)
v+ = 16.5 v, v
D
=
0.5 v, 10 v
房间
全部
0.1 –1
–60
1
60
–1
–20
1
20
数字的 控制
输入, 高 电压 V
INH
全部 2.4 2.4
V
输入, 低 电压 V
INL
全部 0.8 0.8
V
输入 电容 C
在
全部 5 pF
输入 电流
I
INL
或者
I
INH
v+ = 16.5 v
V
在
下面 测试 = 0.8 v, 3 v
全部 –1 1 –1 1
一个
动态 特性
转变-在 时间 t
在
R1k
C35FV2V
房间
全部
50
70
50
70
转变-止 时间
t
OFF1
R
L
= 1 k
, c
L
= 35 pf, v
S
= 2 v
v= 10.8 v, 看 图示 2
房间
全部
50
70
50
70
ns
t
OFF2
房间 150
输出 安排好 时间 至 0.1% t
s
房间 180
承担 injection Q
C
L
= 1 nf, v
S
= 0 v
V
gen
= 0 v, r
gen
= 0
房间 10 pC
止 isloation OIRR
R
L
= 1 k
, c
L
= 10 pf
f = 100 khz
房间 85
dB
串扰
(频道-至-频道)
X
TALK
任何 其它 频道 switches
R
L
= 1 k
, c
L
= 10 pf
f = 100 khz
房间 100
dB
源 止 电容 C
s(止)
f=1MHz
房间 10
流 止 电容 C
d(止)
f= 1 mhz
房间 10 pF
频道 在 电容 C
d(在)
V
相似物
= 0 v 房间 30
电源 供应
积极的 供应 电流 I+
V+=15VV
在
=0or5V
全部 10 10 毫安
电源 消耗量
c
P
C
V+ = 15 v, v
在
= 0 或者 5 v
全部 150 150 mW
注释:
一个. 谈及 至 处理 选项 flowchart.
b. 房间 = 25
c, 全部 = 作 决定 用 这 运行 温度 后缀.
c. 典型 值 是 为 设计 aid 仅有的, 不 有保证的 也不 主题 至 生产 测试.
d. 这 algebraic convention 凭此 这 大多数 负的 值 是 一个 最小 和 这 大多数 积极的 一个 最大, 是 使用 在 这个 数据 薄板.
e. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
f. V
在
= 输入 电压 至 执行 恰当的 函数.
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