dg333a/333al
vishay siliconix
文档 号码: 70803
s-52433—rev. b, 06-sep-99
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4-5
泄漏 电流 vs. 相似物 电压
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
30
60
90
120
150
180
03691215
r
ds(在)
vs. v
D
(单独的 供应)
V
D
– 流 电压 (v)
10 v
7 v
5 v
12 v
15 v
15
27
39
51
63
75
024681012
r
ds(在)
vs. v
D
和 温度 (单独的 供应)
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
125
C
85
C
70
C
25
C
0
C
–40
C
–55
C
V
D
– 流 电压 (v)
–30
–20
–10
0
10
20
30
40
–15 –10 –5 0 5 10 15
流 承担 injection
V
S
– 源 电压 (v)
i (pa)
30
20
–30
–15 –10 15
10
0
–5 0 5 10
–10
–20
v+ = 15 v
v– = –15 v
I
d(止)
, i
s(止)
I
d(在)
V
D
或者 v
S
– 流 或者 源 电压 (v)
q (pc)
切换 时间 vs. 温度
温度 (
c)
t
在
(ns), t
止
120
100
80
20
0
–55 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120
40
60
v+ = 15 v, v– = –15 v
V
在
= 3 v 脉冲波
t
止
t
在
(v)
在
V
输入 切换 门槛 vs. 供应 电压
3.5
3.0
2.5
0
510 40
2.0
1.5
1.0
0.5
15 20 25 30 35(v+)
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