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4
文档 号码: 70069
s-05734
—
rev. g, 29-jan-02
v+ 至 地
–
0.3 v 至 +21 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
v+ 至 v
––
0.3 v 至 +21 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
V
–
至 地
–
10 v 至 +0.3 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
V
L
0 v 至 (v+) + 0.3 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
数字的 输入 (v
–
)
–
0.3 v 至 (v
L
) + 0.3 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
或者 20 毫安, whichever occurs 第一
V
S
, v
D
(v
–
)
–
0.3 v 至 (v
–
) + 14 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
或者 20 毫安, whichever occurs 第一
电流 (任何 终端) 持续的 20 毫安. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
电流(s 或者 d) 搏动 l ms 10% 职责 40 毫安. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
存储 温度 (一个 后缀)
–
65 至 150
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(d 后缀)
–
65 至 125
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
电源 消耗 (包装)
一个
塑料 插件
b
625 mw. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
PLCC
c
450 mw. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Sidebraze
d
1200 mw. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
注释:
一个. 所有 leads 焊接 或者 welded 至 pc 板.
b. 减额 8.3 mw/
c 在之上 75
c.
c. 减额 6 mw/
c 在之上 75
c.
d. 减额 16 mw/
c 在之上 75
c.
测试 情况
除非 否则 指定
一个 后缀
–
55 至 125
C
d 后缀
–
40 至 85
C
参数 标识
v+ = 15 v, v
–
=
–
3 v, v
L
= 5 v
WR
= 0.8 v, rs, en= 2 v
温度
b
Typ
c
最小值
d
最大值
d
最小值
d
最大值
d
单位
相似物 转变
相似物 信号 范围
g
V
相似物
V
–
=
–
5 v 全部
–
5 8
–
5 8 V
流-源
在-阻抗
r
ds(在)
I
S
=
–
10 毫安, v
S
= 0 v
房间
全部
45 90
120
90
120
阻抗 相一致
在 途径
r
ds(在)
V
AIL
= 0.8 v, v
AIH
= 2 v
sequence 各自 转变 在
房间 9 9
源 止
泄漏 电流
I
s(止)
V
S
= 8 v, v
D
= 0 v, en = 0.8 v
房间
全部
0.05
–
5
–
50
5
50
–
5
–
50
5
50
流 止
泄漏 电流
I
d(止)
V
S
= 0 v, v
D
= 8 v, en = 0.8 v
房间
全部
0.1
–
20
–
500
20
500
–
20
–
100
20
100
nA
流 在
泄漏 电流
I
d(在)
V
S
= v
D
=
8 v
房间
全部
0.1
–
20
–
1000
20
1000
–
20
–
200
20
200
数字的 控制
输入 电压 高 V
AIH
全部 2 2
输入 电压 低 V
AIL
全部 0.8 0.8
V
地址 输入 电流 I
AI
V
AI
= 0 v, 或者 2 v 或者 5 v
房间
全部
–
0.1
–
1
–
10
1
10
–
1
–
10
1
10
一个
V
AO
= 2.7 v 房间
–
21
–
2.5
–
2.5
地址 输出 电流 I
AO
V
AO
= 0.4 v 房间 3.5 2.5 2.5
毫安
动态 特性
在 状态 输入
PLCC 房间 28 40 40
在 状态 输入
电容
g
C
s(在)
看 图示 11
插件 房间 31 45 45
止 状态 输入
PLCC 房间 3 5 4
止 状态 输入
电容
g
C
s(止)
插件 房间 4 5
pF
止 状态 输出
看 图示 12
PLCC 房间 6 10 8
止 状态 输出
电容
g
C
d(止)
插件 房间 8 10
转变 时间 t
TRANS
房间
全部
160 300
500
300
500
破裂-在之前-制造
间隔
t
打开
看 图示 4
房间
全部
80 50
25
50
25
en, wr转变 在 时间 t
在
看 图示 2 和 3
房间
全部
150 300
500
300
500
ns
en, 转变 止 时间 t
止
看 图示 2
房间
全部
105 175
300
175
300
承担 injection Qi 看 图示 5 房间
–
70 pC
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