绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
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分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
) −0.3v 至 +4V
cmos/ttl 输出 电压 −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
LVDS 接受者 输入 电压 −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
接合面 温度 +150˚C
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度
(焊接, 4 秒 为 tssop) +260˚C
焊盘 软熔焊接 温度
(焊接, 20 秒 为 fbga) +220˚C
最大 包装 电源
消耗 Capacity
@
25˚C
MTD56 (tssop) 包装:
DS90CF386MTD 1.61 W
MTD48 (tssop) 包装:
DS90CF366MTD 1.89 W
包装 减额:
DS90CF386MTD 12.4 mw/˚c 在之上 +25˚C
DS90CF366MTD 15 mw/˚c 在之上 +25˚C
最大 包装 电源
消耗 Capacity
@
25˚C
SLC64A 包装:
DS90CF386SLC 2.0 W
包装 减额:
DS90CF386SLC 10.2 mw/˚c 在之上 +25˚C
静电释放 比率
(hbm, 1.5 k
Ω
, 100 pf)
>
7kV
(eiaj, 0
Ω
, 200 pf)
>
700V
推荐 运行
情况
最小值 Nom 最大值 单位
供应 电压 (v
CC
) 3.0 3.3 3.6 V
运行 自由 空气
温度 (t
一个
) −10 +25 +70 ˚C
接受者 输入 范围 0 2.4 V
供应 噪音 电压 (v
CC
) 100 mV
PP
电的 特性
在 推荐 运行 供应 和 温度 范围 除非 否则 指定.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
cmos/ttl 直流 规格
V
IH
高 水平的 输入 电压 2.0 VCC V
V
IL
低 水平的 输入 电压 地 0.8 V
V
OH
高 水平的 输出 电压 I
OH
= - 0.4 毫安 2.7 3.3 V
V
OL
低 水平的 输出 电压 I
OL
= 2 毫安 0.06 0.3 V
V
CL
输入 Clamp 电压 I
CL
= −18 毫安 -0.79 -1.5 V
I
在
输入 电流 V
在
= 0.4v, 2.5v 或者 V
CC
+1.8 +15 uA
V
在
= 地 -10 0 uA
I
OS
输出 短的 电路 电流 V
输出
= 0V -60 -120 毫安
LVDS 接受者 直流 规格
V
TH
差别的 输入 高 门槛 V
CM
= +1.2v +100 mV
V
TL
差别的 输入 低 门槛 −100 mV
I
在
输入 电流 V
在
= +2.4v, V
CC
= 3.6v
±
10 µA
V
在
= 0v, V
CC
= 3.6v
±
10 µA
接受者 供应 电流
ICCRW 接受者 供应 电流 C
L
= 8 pf, f = 32.5 MHz 49 70 毫安
Worst 情况 Worst 情况 模式, f = 37.5 MHz 53 75 毫安
DS90CF386
(计算数量 1,
4)
f = 65 MHz 81 114 毫安
f = 85 MHz 96 135 毫安
ICCRW 接受者 供应 电流 C
L
= 8 pf, f = 32.5 MHz 49 60 毫安
Worst 情况 Worst 情况 模式, f = 37.5 MHz 53 65 毫安
DS90CF366
(计算数量 1,
4)
f = 65 MHz 78 100 毫安
f = 85 MHz 90 115 毫安
ICCRG 接受者 供应 电流, C
L
= 8 pf, f = 32.5 MHz 28 45 毫安
16 Grayscale 16 Grayscale 模式, f = 37.5 MHz 30 47 毫安
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