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资料编号:269326
 
资料名称:DT28F160F3T120
 
文件大小: 277.1K
   
说明
 
介绍:
FAST BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY 8 AND 16 MBIT
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
快 激励 块 数据手册
E
18
产品 预告(展)
表格 6. 读 配置 寄存器 定义
RM R FC2 FC1 FC0 R DOC WC
15 14 13 12 11 10 9 8
BS CC R R R BL2 BL1 BL0
7654 3 210
注释:
rcr.15 = 读 模式 (rm)
0 = 同步的 burst 读 使能
1 = 页-模式 读 使能 (default)
读 模式 配置 影响 读 从
主要的 blocks. 参数 块, 状态 寄存器,
和 identifier 读 支持 单独的 读 循环.
rcr.14 = 保留 为 future
增强 (r)
这些 位 是 保留 为 future 使用. 设置
这些 位 至
“0.”
rcr.13
–11 = 频率 配置 (fc2-0)
001 = 代号 1 保留 为 future 使用
010 = 代号 2
011 = 代号 3
100 = 代号 4
101 = 代号 5
110 = 代号 6
看 部分 4.9.2 为 信息 关于 这
频率 配置 和 它的 效应 在 这
最初的 读.
undocumented 结合体 的 位
rcr.14–11 是 保留 用 intel 公司
为 future implementations 和 应当 不 是
使用.
rcr.10 = 保留 为 future
增强 (r)
这些 位 是 保留 为 future 使用. 设置
这些 位 至“0.”
rcr.9 = 数据 输出 配置 (doc)
0 = 支撑 数据 为 一个 时钟
1 = 支撑 数据 为 二 clocks
undocumented 结合体 的 位 rcr.10–9
是 保留 用 intel 公司 为 future
implementations 和 应当 不 是 使用.
rcr.8 = wait 配置 (wc)
0 = wait# asserted 在 延迟
1 = wait# asserted 一个 数据 循环 在之前 延迟
rcr.7 = burst sequence (bs)
0 = intel burst 顺序
1 = 直线的 burst 顺序
rcr.6 = 时钟 配置 (cc)
0 = burst 开始 和 数据 输出 在 下落
时钟 边缘
1 = burst 开始 和 数据 输出 在 rising
时钟 边缘
rcr.5–3 = 保留 为 future
增强 (r)
这些 位 是 保留 为 future 使用. 设置
这些 位 至“0.”
rcr.2–0 = burst 长度 (bl2–0)
001 = 4 文字 burst
010 = 8 文字 burst
111 = 持续的 burst
在 这 异步的 页 模式, 这 burst
长度 总是 相等 四 words.
undocumented 结合体 的 位 rcr.2–0
是 保留 用 intel 公司 为 future
implementations 和 应当 不 是 使用
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