快 激励 块 数据手册
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产品 预告(展)
5.0 数据 保护
这 快 激励 块 flash 记忆 architecture
特性 硬件-lockable 主要的 blocks和 二
参数 blocks, 所以 核心的 code 能 是 保持
secure 当 其它 参数 blocks 是
编写程序 或者 erased 作 需要.
5.1 V
PP
≤
V
PPLK
为 完全
保护
这 v
PP
程序编制 电压 能 是 使保持 低 为
完全 写 保护 的 所有 blocks 在 这 flash
设备. 当 v
PP
是 在下 v
PPLK
, 任何 块 擦掉
或者 程序 运作 将 结果 在 一个 错误, prompting
这 相应的 状态 寄存器 位 (sr.3) 至 是
设置.
5.2 wp# = v
IL
为 块 locking
这 lockable blocks 是 锁 when wp# = v
IL
;
任何 块 擦掉 或者 程序 运作 至 一个 锁
块 将 结果 在 一个 错误, 这个 将 是 反映 在
这 状态 寄存器. 为 顶 配置, 这 顶
二 参数 和 所有 主要的 blocks (blocks#37,
#38, 和 #0 通过 30 为 这 16-mbit, blocks#21,
#22, 和 #0 通过 #14 为 这 8-mbit) 是
lockable. 为 这 bottom 配置, 这 bottom
二 参数 和 所有 主要的 blocks (blocks #0, #1,
和 #8 通过 #38 为 这 16-mbit, blocks #0, #1,
和 #8 通过 #22 为 这 8-mbit) 是 lockable.
unlocked blocks 能 是 编写程序 或者 erased
正常情况下 (除非 v
PP
是 在下 v
PPLK
).
5.3 wp# = v
IH
为 块 unlocking
wp# 控制 所有 块 locking 和 v
PP
提供
保护 相反 spurious 写. 表格 9 定义
这 写 保护 方法.
表格 9. 写 保护 真实 表格
V
PP
WP# RST#
写 保护
提供
XXV
IL
所有 blocks 锁
V
IL
XV
IH
所有 blocks 锁
≥
V
PPLK
V
IL
V
IH
Lockable
blocks 锁
≥
V
PPLK
V
IH
V
IH
所有
blocks unlocked
6.0 V
PP
电压
intel’s 快 激励 块 flash 记忆 家族
提供 在-系统 程序编制和 擦掉 在
2.7 v–3.6 v (3.0 v–3.6 v 为 automotive
温度) v
PP
. 为 客户 需要 快
程序编制 在 它们的 制造 环境,
这个 家族 的 产品 包含 一个 额外的 低-
费用, 高-效能 12 v 程序编制 特性.
这 12 v v
PP
模式 enhances 程序编制
效能 在 短的 时期 的 时间 典型地
建立 在 制造 处理; 不管怎样, 它 是
不 将 为 扩展 使用. 12 v 将 是 应用
至 v
PP
在 块 擦掉 和 程序 行动
为 一个 最大 的 1000循环 在 这 主要的 blocks
和 2500循环 在 这 参数 blocks. v
PP
将
是 连接 至 12 v 为 一个 总的 的 80 小时
最大. stressing 这 设备 在之外 这些 限制
将 导致 永久的 损坏.
7.0 电源 消耗量
当 在 运作, 这 flash 设备 消费
起作用的 电源. 不管怎样, intel flash 设备 有
电源 savings 那 能 significantly 减少 整体的
系统 电源 消耗量. 这 自动 电源
savings (aps) 特性 减少 电源 消耗量
当 这 设备 是 空闲. 如果 ce# 是 deasserted, 这
flash enters 它的 备用物品 模式, 在哪里 电流
消耗量 是 甚至 更小的. 这 结合体 的
这些 特性 降低 整体的 记忆 电源
和 系统 电源 消耗量.
7.1 起作用的 电源
和 ce# 在 一个 逻辑-低 水平的 和 rst# 在 一个 逻辑-
高 水平的, 这 设备 是 在 起作用的 模式. 起作用的
电源 是 这 largest contributor 至 整体的 系统
电源 消耗量. 降低 起作用的 电流 有 一个
profound 效应 在系统 电源 消耗量,
特别 为 电池-运作 设备.
7.2 自动 电源 savings
自动 电源 savings (aps) 提供 低-
电源 运作 在 起作用的 模式, 准许 这
flash 至 放 它自己 在 一个 低 电流 状态 当 不
正在 accessed. 之后 数据 是 读 从 这 记忆
排列, 这 设备的 电源 消耗量 enters 这
aps 模式 在哪里 典型 i
CC
电流 是 comparable
至 i
CCS
. 这 flash stays 在 这个 静态的 状态 和
输出 有效的 直到 一个 新 location 是 读.
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