特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
100% rg
测试
产品
primary 一侧 转变
Si4418DY
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72513
s-32412—rev. b, 24-十一月-03
www.vishay.com
1
n-频道 200-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
200
0.130 @ v
GS
= 10 v 3
200
0.142 @ v
GS
= 6.0 v 2.8
n-频道 场效应晶体管
G
D
S
SD
S
D
SD
G
D
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
订货 信息: Si4418DY—E3
si4418dy-t1—e3 (和 tape 和 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
200
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
3 2.3
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 85
C
I
D
2.1 1.6
一个
搏动 流 电流 I
DM
12
一个
avalanche 电流
l = 0 1 mh
I
作
6
单独的 一个valanche 活力 (职责 循环
1%)
l = 0.1 mh
E
作
1.8 mJ
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
2.1 1.25 一个
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.5 1.5
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 85
C
P
D
1.3 0.8
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
36 50
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
71 85
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
15 20
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.