Si4434DY
vishay siliconix
新 产品
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2
文档号码: 72562
s-32556—rev.b, 15-dec-03
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个
2.0 4.0 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 250 v, v
GS
= 0 v 1
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 250 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C
15
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
10 v, v
GS
= 10
V
20 一个
流 源 在 状态 阻抗
一个
r
ds( )
V
GS
= 10
v,I
D
= 3.0 一个
0.129 0.155
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 6.0
v,I
D
= 2.9 一个
0.131 0.162
向前 transconductance
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 3.0 一个 14 S
二极管 向前电压
一个
V
SD
I
S
= 2.8 一个, v
GS
= 0 v 0.75 1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
34 50
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 100 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 3.0 一个
6.8
nC
门-流 承担 Q
gd
10.5
门 阻抗 R
g
0.6 1.2 1.8
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
16 25
上升 时间 t
r
V
DD
= 100 v, r
L
= 25
23 35
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 100 v,R
L
= 25
I
D
4.0 一个, v
GEN
= 10 v, r
g
= 6
47 70
ns
下降 时间 t
f
19 30
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 2.8 一个, di/dt = 100 一个/
s
100 150
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用设计, 不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0123456
0
6
12
18
24
30
0246810
V
GS
= 10 thru 6 v
T
C
= 125
C
−
55
C
25
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
5 v
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