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资料编号:274363
 
资料名称:SI4852DY-T1
 
文件大小: 89.5K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4852DY
vishay siliconix
文档 号码: 71307
s-31726—rev.d, 18-8月-03
www.vishay.com
3
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
10
20
30
40
50
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
0.000
0.004
0.008
0.012
0.016
0.020
0 8 16 24 32 40
0
8
16
24
32
40
0246810
0
700
1400
2100
2800
3500
4200
0 6 12 18 24 30
V
GS
= 10 thru 4 v
25
C
T
C
= 125
C
C
oss
C
iss
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 10 v
-55
C
3 v
输出 特性 转移 特性
在-阻抗 vs. 流 电流
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
V
GS
-门-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
C-电容 (pf)
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
-流 电流 (一个)
电容
2 v
C
rss
0
2
4
6
8
10
0 9 18 27 36 45
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
V
DS
= 15 v
I
D
= 9.8 一个
V
GS
= 10 v
I
D
= 9.8 一个
门 承担
-门-至-源 电压 (v)
Q
g
-总的 门 承担 (nc)
V
GS
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
-接合面 温度 (
c)
(normalized)
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
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