AS4C256K16E0-50JC_集成电路资料查询网

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AS4C256K16E0
4/11/01; v.1.1
alliance 半导体
21 的 24
CAS-在之前-ras自 refresh 循环
典型 直流 和 交流 特性
t
RP
t
RASS
t
RPC
t
CP
t
CHS
t
CEZ
RAS
UCAS,
DQ
LCAS
t
RPS
t
CSR
t
RPC
供应 电压 (v)
4.0 5.5
6.0
5.04.5
0.8
0.9
1.1
1.2
1.0
1.3
1.4
1.5
normalized 进入 时间
normalized 进入 时间 t
RAC
包围的 温度 (°c)
–55 80
125
35–10
0.8
0.9
1.1
1.2
1.0
1.3
1.4
1.5
normalized 进入 时间
normalized 进入 时间 t
RAC
加载 电容 (pf)
50 200 250150100
30
40
60
70
50
80
90
100
典型 进入 时间
典型 进入 时间 t
RAC
vs. 包围的 温度 t
一个
vs. 加载 电容 c
L
vs. 供应 电压 v
CC
T
一个
= 25°c
供应 电压 (v)
4.0 5.5
6.0
5.04.5
0.0
10
30
40
20
50
60
70
供应 电流 (毫安)
典型 供应 电流 i
CC
包围的 温度 (°c)
–55 80
125
35–10
0.0
10
30
40
20
50
60
70
供应 电流 (毫安)
典型 供应 电流 i
CC
循环 比率 (mhz)
28
10
64
0.0
5
15
20
10
25
30
35
电源-在 电流 (毫安)
典型 电源-在 电流 i
PO
vs. 包围的 温度 t
一个
vs. 循环 比率 1/t
RC
vs. 供应 电压 v
CC

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® AS4C256K16E0 4/11/01; v.1.1 alliance 半导体 21 的 24 CAS-在之前-ras自 refresh 循环典型直流和交流特性 t RP t RASS t RPC t CP t CHS t CEZ RAS UCAS, DQ LCAS t RPS t CSR t RPC 供应电压 (v) 4.0 5.5 6.0 5.04.5 0.8 0.9 1.1 1.2 1.0 1.3 1.4 1.5 normalized 进入时间 normalized 进入时间 t RAC 包围的温度 (°c) –55 80 125 35–10 0.8 0.9 1.1 1.2 1.0 1.3 1.4 1.5 normalized 进入时间 normalized 进入时间 t RAC 加载电容 (pf) 50 200 250150100 30 40 60 70 50 80 90 100 典型进入时间典型进入时间 t RAC vs. 包围的温度 t 一个 vs. 加载电容 c L vs. 供应电压 v CC T 一个 = 25°c 供应电压 (v) 4.0 5.5 6.0 5.04.5 0.0 10 30 40 20 50 60 70 供应电流 (毫安) 典型供应电流 i CC 包围的温度 (°c) –55 80 125 35–10 0.0 10 30 40 20 50 60 70 供应电流 (毫安) 典型供应电流 i CC 循环比率 (mhz) 28 10 64 0.0 5 15 20 10 25 30 35 电源-在电流 (毫安) 典型电源-在电流 i PO vs. 包围的温度 t 一个 vs. 循环比率 1/t RC vs. 供应电压 v CC

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