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AS4C256K16E0
4/11/01; v.1.1
alliance 半导体
22 的 24
供应 电压 (v)
4.0 5.5
6.0
5.04.5
0
5
15
20
10
25
30
35
refresh 电流 (毫安)
典型 refresh 电流 i
CC3
包围的 温度 (°c)
0.0 60
80
4020
refresh 电流 (毫安)
典型 refresh 电流 i
CC3
供应 电压 (v)
4.0 5.5 6.05.04.5
0
0.5
1.5
2.0
1.0
2.5
3.0
3.5
保卫-用 电流 (毫安)
典型 ttl 保卫-用 电流 i
CC2
vs. 包围的 温度 ta vs. 供应 电压 v
CC
vs. 供应 电压 v
CC
0
5
15
20
10
25
30
35
包围的 温度 (°c)
060
80
4020
0.0
0.5
1.5
2.0
1.0
2.5
3.0
3.5
保卫-用 电流 (毫安)
典型 ttl 保卫-用 电流 i
CC2
输出 电压 (v)
0.0 1.5
2.0
1.00.5
0.0
10
30
40
20
50
60
70
输出 下沉 电流 (毫安)
典型 输出 下沉 电流 i
OL
输出 电压 (v)
0.0 3.0
4.0
2.01.0
0.0
10
30
40
20
50
60
70
输出 源 电流 (毫安)
典型 输出 源 电流 i
OH
vs. 输出 电压 v
OL
vs. 输出 电压 v
OH
vs. 包围的 温度 t
一个
edo 页 模式 电流 (毫安)
包围的 温度 (°c)
060
80
4020
0.0
5
15
20
10
25
30
35
edo 页 模式 电流 (毫安)
典型 edo 页 模式 电流 i
CC4
供应 电压 (v)
4.0 5.5 6.05.04.5
0.0
5
15
20
10
25
30
35
典型 edo 页 模式 电流 i
CC4
vs. 供应 电压 v
CC
vs. 包围的 温度 t
一个
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