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资料编号:275153
 
资料名称:AS4C256K16E0-50JC
 
文件大小: 644.84K
   
说明
 
介绍:
5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)
 
 


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®
AS4C256K16E0
4/11/01; v.1.1
alliance 半导体
5 的 24
写 循环
shaded areas 包含 进步 信息.
读-modify-写 循环
shaded areas 包含 进步 信息.
标准
标识 参数
-30 -35 -50
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
ASC
column 地址 建制 时间
0 –0–0–ns
t
CAH
column 地址 支撑 时间 5 –5–9–ns
t
AW R
column 地址 支撑 时间 至
RAS
26 –28–30–ns
t
WCS
写 command 建制 时间 0 –0–0–ns 11
t
WCH
写 command 支撑 时间 5 –5–9–ns 11
t
WCR
写 command 支撑 时间 至
RAS
26 –28–30–ns
t
WP
写 command 脉冲波 宽度 5 –5–9–ns
t
RW L
写 command 至
RAS
含铅的 时间 10 –11–12–ns
t
CWL
写 command 至
CAS
含铅的 时间 10 –11–12–ns
t
DS
数据-在 建制 时间 0 –0–0–ns 12
t
DH
数据-在 支撑 时间 5 –5–9–ns 12
t
DHR
数据-在 支撑 时间 至
RAS
26 –28–30–ns
标准
标识 参数
-30 -35 -50
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
RW C
读-写 循环 时间
100 105 120 ns
t
RW D
RAS
我们
延迟 时间 50 –54–60–ns 11
t
CWD
CAS
我们
延迟 时间 26 –28–30–ns 11
t
AW D
column 地址 至
我们
延迟 时间 32 –35–40–ns 11
t
rsh(w)
CAS
RAS
支撑 时间 (写) 10 –10–12–ns
t
cas(w)
CAS
脉冲波 宽度 (写) 15 –15–15–ns
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