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资料编号:275604
 
资料名称:ST7FLITE02Y0B6
 
文件大小: 1925.33K
   
说明
 
介绍:
8-BIT MCU WITH SINGLE VOLTAGE FLASH MEMORY, DATA EEPROM, ADC, TIMERS, SPI
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
st7lite0, st7superlite
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数据 可擦可编程只读存储器
(内容’d)
5.3 记忆 进入
这 数据 可擦可编程只读存储器 记忆 读/写 进入
模式 是 控制 用 这 e2lat 位 的 这 eep-
只读存储器 控制/状态 寄存器 (eecsr). 这 流动-
chart 在图示 7describes 这些 不同的 记忆
进入 模式.
读 运作 (e2lat=0)
这 可擦可编程只读存储器 能 是 读 作 一个 正常的 只读存储器 loca-
tion 当 这 e2lat 位 的 这 eecsr 寄存器 是
cleared. 在 一个 读 循环, 这 字节 至 是 accessed 是
放 在 这 数据 总线 在 较少 比 1 cpu 时钟 循环.
这个 意思 那 读 数据 从可擦可编程只读存储器
takes 这 一样 时间 作 读 数据 从
非易失存储器, 但是 这个 记忆 不能 是 使用 至 exe-
cute 机器 代号.
写 运作 (e2lat=1)
至 进入 这 写 模式, 这 e2lat 位 有 至 是
设置 用 软件 (这 e2pgm 位 仍然是 cleared).
当 一个 写 进入 至 这 可擦可编程只读存储器 范围 occurs,
这 值 是 latched inside 这 32 数据 latches 交流-
cording 至 它的 地址.
当 pgm 位 是 设置 用 这 软件, 所有 这 previ-
ous 字节 写 在 这 数据 latches (向上 至 32) 是
编写程序 在 这 可擦可编程只读存储器 cells. 这 有效的
高 地址 (行) 是 决定 用 这 last eep-
只读存储器 写 sequence. 至 避免 wrong 程序-
ming, 这 用户 必须 引领 小心 那 所有 这 字节
写 在 二 程序编制 sequences
有 这 一样 高 地址: 仅有的 这 five least
重大的 位 的 这 地址 能 改变.
在 这 终止 的 这 程序编制 循环, 这 pgm 和
lat 位 是 cleared 同时发生地.
便条
: 小心 应当 是 带去 在 这 程序-
ming 循环. writing 至 这 一样 记忆 location
将 在-程序 这 记忆 (logical 和 是-
tween 这 二 写 进入 数据 结果) 因为
这 数据 latches 是 仅有的 cleared 在 这 终止 的 这
程序编制 循环 和 用 这 下落 边缘 的 这
e2lat 位.
它 是 不 可能 至 读 这 latched 数据.
这个 便条 是 ilustrated 用 这图示 9.
图示 7. 数据 可擦可编程只读存储器 程序编制 flowchart
模式
E2LAT=0
E2PGM=0
模式
E2LAT=1
E2PGM=0
字节
可擦可编程只读存储器 范围
WRITEUPTO32BYTES
可擦可编程只读存储器 范围
(和 一样 11 MSB 地址)
开始 程序编制 循环
E2LAT=1
E2PGM=1 (设置 软件)
E2LAT
01
CLEARED 硬件
1
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