字节-宽 smart 5 flashfile™ 记忆 家族
E
28
产品 预告(展)
6.2.3 商业的 温度 直流 特性
商业的 温度 直流 特性 为
4-, 8-, 和 16-mbit smart 5 flashfile™ memories
5.0v v
CC
测试
Sym 参数 注释 典型值 最大值 单位 情况
I
LI
输入 加载 电流 1
±
1
µ
AV
CC
= v
CC
最大值, v
在
= v
CC
或者 地
I
LO
输出 泄漏 电流 1
±
10
µ
AV
CC
= v
CC
最大值, v
输出
= v
CC
或者 地
I
CCS
V
CC
备用物品 电流 1,3,6 25 100
µ
一个 cmos 输入
V
CC
= v
CC
最大值
ce# = rp# = v
CC
± 0.2v
0.4 2 毫安 ttl 输入
V
CC
= v
CC
最大值, ce# = rp# = v
IH
I
CCD
V
CC
深的 电源-向下
电流
110
µ
一个 rp# = 地 ± 0.2v
I
输出
(ry/by#) = 0 毫安
I
CCR
V
CC
读 电流 1,5,6 17 35 毫安
cmos 输入
V
CC
= v
CC
最大值, ce# = 地
f = 8 mhz, i
输出
= 0 毫安
20 50 毫安 ttl 输入
V
CC
= v
CC
最大值, ce# = 地
f = 8 mhz, i
输出
= 0 毫安
I
CCW
V
CC
程序/设置 1,7 35 毫安 V
PP
= 5.0v ± 10%
锁-位 电流 30 毫安 V
PP
= 12.0v ± 5%
I
CCE
V
CC
块 擦掉/clear 1,7 30 毫安 V
PP
= 5.0v ± 10%
块 锁-位 电流 25 毫安 V
PP
= 12.0v ± 5%
I
CCWS
I
CCES
V
CC
程序/块
擦掉 suspend 电流
1,2 1 10 毫安 ce# = v
IH
I
PPS
V
PP
备用物品 电流 1 ± 2 ± 15 µA V
PP
≤
V
CC
I
PPR
V
PP
读 电流 1 10 200 µA V
PP
> v
CC
I
PPD
V
PP
深的 电源-向下
电流
1 0.1 5 µA rp# = 地 ± 0.2v
I
PPW
V
PP
程序 或者 1,7 40 毫安 V
PP
= 5.0v ± 10%
设置 锁-位 电流 15 毫安 V
PP
= 12.0v ± 5%
I
PPE
V
PP
块 擦掉 或者 clear 1,7 20 毫安 V
PP
= 5.0v ± 10%
块 锁-位 电流 15 毫安 V
PP
= 12.0v ± 5%
I
PPWS
I
PPES
V
PP
程序 或者 块
擦掉 suspend 电流
1 10 200 µA V
PP
= v
pph1/2
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