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资料编号:277393
 
资料名称:E28F008S5-120
 
文件大小: 611.49K
   
说明
 
介绍:
BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
E
字节-宽 smart 5 flashfile™ 记忆 家族
35
产品 预告(展)
6.3 扩展 温度 运行 情况
除了 为 这 规格 给 在 这个 部分, 所有 直流 和 交流 特性 是 完全同样的 至 那些 给 在
商业的 温度 规格. 看 这 部分 6.2 为 商业的 温度 规格.
扩展 温度 和 v
CC
运行 情况
标识 参数 注释 最小值 最大值 单位 测试 情况
T
一个
运行 温度 -40 +85
°C 包围的 温度
6.3.1 扩展 温度 直流 特性
扩展 温度 直流 特性 为
4-, 8-, 和 16-mbit smart 5 flashfile™ memories
5.0v v
CC
测试
Sym 参数 注释 典型值 最大值 单位 情况
I
CCD
V
CC
深的 电源-向下
电流
1
20
µ
一个 rp# = 地 ± 0.2v
I
输出
(ry/by#) = 0 毫安
便条:
1. 所有 电流 是 在 rms 除非 否则 指出. 这些 电流 是 有效的 为 所有 产品 版本 (包装 和 speeds).
联系 intel’s 应用 支持 hotline 或者 your local 销售 办公室 为 信息 关于 典型 规格.
6.3.2 扩展 温度 交流 特性 - 读-仅有的 行动
(1)
扩展 温度 读-仅有的 行动 为
4-, 8-, 和 16-mbit smart 5 flashfile™ memories 在 t
一个
= -40°c 至 +85°c
版本
(3)
5v ± 10% v
CC
–100/–110
# Sym 参数 注释 最小值 最大值 单位
R1 t
AVAV
读 循环 时间 4, 8 mbit 100 ns
16 mbit 110 ns
R2 t
AVQV
地址 至 输出 延迟 4, 8 mbit 100 ns
16 mbit 110 ns
R3 t
ELQV
ce# 至 输出 延迟 4, 8 mbit 2 100 ns
16 mbit 2 110 ns
注释:
1. 看 交流 输入/输出 涉及 波形 为 最大 容许的 输入 回转 比率.
2. oe# 将 是 delayed 向上 至 t
ELQV
-t
GLQV
之后 这 下落 边缘 的 ce# 没有 impact 在 t
ELQV
.
3. 看 订货 信息 为 设备 speeds (有效的 运算的 结合体).
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