飞利浦 半导体 产品 数据
NE57600
一个-cell lithium-ion 电池 保护 和
在/undercharge 和 overcurrent 保护
2001 oct 03
10
场效应晶体管 状态 为 正常的 和 abnormal
情况
运行 模式 和
charging 情况
承担
场效应晶体管 (cf)
释放
场效应晶体管 (df)
正常的 (charging 或者 discharging) 在 在
overcharge (charging) 止 在
overcharge (discharging) 在 在
overdischarge (discharging) 止 止
overdischarge (charging) 在 在
overcurrent (charging 或者 discharging) 止 止
正常的 模式:
overdischarge 发现 电压 < 电池
电压 <overcharge 发现 电压
释放 电流 < overcurrent 发现
水平的
overcharge 模式:
电池 电压 > overcharge 发现
电压
overdischarge 模式:
overdischarge 发现 电压 > 电池
电压
overcurrent 模式:
释放 电流 > overcurrent 发现
水平的
电压 在 vm 和 地 =
释放 电流
×
场效应晶体管 在 阻抗
(释放 或者 承担 场效应晶体管)
selecting 这 最佳的 mosfets
为 一个 单独的-cell 电池 包装, 一个 逻辑-水平的 场效应晶体管 应当 是
使用. 这些 mosfets 有 转变-在 门槛 的 0.9 v 和 是
考虑 全部-在 在 4.5 v vgs. 一些 问题 将 是
encountered 在 不 having 足够的 门 电压 至 全部地 转变-在 这
序列 mosfets 在 这 电池 包装 全部 运行 电压. 如果
一个 deliberately 选择 一个 n-频道 场效应晶体管 和 一个 更
更好 电流 比率, 一个 更小的 rds
(在)
在 这 全部 范围 能 是
attained.
这 mosfets 应当 有 一个 电压 比率 更好 比 20 v 和
应当 有 一个 高 avalanche 比率 至 survive 任何 尖刺
发生 横过 这 电池 包装 terminals.
这 电流 比率 的 这 mosfets 应当 是 更好 比 四
时间 这 最大 “c-rating” 的 这 cells. 这 电流 比率,
though, 是 更多 定义 用 这 总的 序列 阻抗 的 这 电池
包装. 这 总的 阻抗 的 这 电池 包装 是 给 用 等式 1.
R
bat(tot)
= rds
(在)
+ r
cell
(等式 1)
这 总的 包装 阻抗 是 典型地 决定 用 这 系统
(所需的)东西. 这 总的 包装 阻抗 直接地 确定 如何
更 电压 droop 将 出现 在 脉冲 在 加载 电流.
另一 仔细考虑 是 这 向前-片面的 safe 运行 范围 的
这 场效应晶体管. 在 一个 短的-电路, 这 释放 电流 能 容易地
reach 10–15 时间 这 “c-rating” 的 这 cells. 这 场效应晶体管 必须
survive 这个 电流 较早的 至 这 释放 场效应晶体管 能 是 转变
止. 所以 having 一个 fbsoa 封套 那 超过 20 amperes 为
5 ms 将 是 safe.
包装 方法
SL01305
录音带 detail
覆盖 录音带
运输车 录音带
卷轴
组装
录音带
守卫
带宽
BARCODE
LABEL
盒
图示 11. 录音带 和 卷轴 包装 方法.
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