首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:280422
 
资料名称:NE57607G
 
文件大小: 131.4K
   
说明
 
介绍:
Two-cell Lithium-ion battery protection with overcurrent, over- and under-voltage protection
 
 


: 点此下载
  浏览型号NE57607G的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号NE57607G的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号NE57607G的Datasheet PDF文件第3页
3

4
浏览型号NE57607G的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号NE57607G的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号NE57607G的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号NE57607G的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号NE57607G的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
飞利浦 半导体 产品 数据
NE57607
二-cell lithium-ion 电池 保护 和
overcurrent, 在- 和 下面-电压 保护
2001 oct 03
4
最大 比率
标识 参数 最小值 最大值 单位
V
在(最大值)
输入 电压 –0.3 +18 V
V
cf(最大值)
最大 cf 管脚 电压 V
–0.6 V
V
cs(最大值)
最大 cs 管脚 电压 V
–0.6 V
T
opr
运行 包围的 温度 范围 –20 +70
°
C
T
stg
存储 温度 –40 +125
°
C
P
D
电源 消耗 300 mW
电的 特性
T
amb
= 25
°
c; v
CEL
= v4–v3 = v3–v2 = v2–v1 = v1–gnd; v
CC
= 4v
CEL
, 除了 在哪里 指出 否则.
标识
参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
OC
overcharge 发现 电压 T
amb
= 0
°
C
50
°
C 4.325 4.350 4.375 V
V
OC
overcharge 发现 hysteresis
电压
170 220 270 mV
V
OD
overdischarge 发现 电压 2.20 2.30 2.40 V
I
vc2(1)
消耗量 电流 1 V
C2
= v
C1
= 1.0 v; v
CS
= 1.4 v 0.1
µ
一个
I
vc2(2)
消耗量 电流 2 V
C2
= v
C1
= 1.9 v; v
CS
= 3.2 v 0.5 0.8
µ
一个
I
VC23
消耗量 电流 3 V
C2
= v
C1
= 3.5 v 15.0 20.0
µ
一个
I
VC24
消耗量 电流 4 V
C2
= v
C1
= 4.5 v; r
OC
= 270 k
150
µ
一个
I
VC1
V
C1
管脚 输入 电流 V
C2
= v
C1
= 3.5 v –0.3 0 0.3
µ
一个
V
DF
overdischarge 释放 电压 释放 重新开始 用 电压 上升 3.30 3.50 3.70 V
V
GDH
gd 管脚 高 输出 电压 V
C2
= v
C1
= 3.5 v; i
L
= –10
µ
一个 V
C2
–0.3 V
C2
–0.2 V
V
GDL
gd 管脚 低 输出 电压 V
C2
= v
C1
= 3.5 v; i
L
= 10
µ
一个 0.2 0.3 V
I
CFH
cf 管脚 输出 电流 V
C2
= v
C1
= 4.5 v 30 150
µ
一个
V
CS1
overcurrent 发现 门槛 值 135 150 165 mV
V
CS2
短的 电路 门槛 值 当 两个都 电池 包装 管脚 是 短接 0.35 0.45 0.55 V
overcurrent 释放 加载 释放: 加载 的 5meg
&放大;
或者 更多 在 两个都 电池 包装 管脚
t
OC1
overcurrent 发现 延迟 时间 1 7 12 18 ms
t
OC2
overcurrent 发现 延迟 时间 2 便条 1 30 100
µ
s
t
OD
overdischarge 发现 延迟 时间 8 13 20 ms
t
OCH
overcharge 发现 dead 时间 C
DLY
= 0.18
µ
f; 便条 2 0.5 1.0 1.5 s
V
ST
开始-向上 电压 V
C2
= v
C1
= 2.5 v –0.24 –0.12 –0.04 V
注释:
1. 这 短的-电路 延迟 时间 是 为 这 ic 仅有的. 这个 时间 将 增加 和 这 释放 场效应晶体管 门 电容. 这 短的-circuit 情况
将 导致 这 cell 电压 至 collapse 和 lengthen 这 延迟.
2. 计算 overcharge dead 时间 符合 至 这 下列的 formula: T
alm
– 5.55
×
C
TD
(时间 表示 在 秒, 电容 在
µ
f)
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com