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资料编号:28168
 
资料名称:1MBH15-120
 
文件大小: 223.72K
   
说明
 
介绍:
Fuji Discrete Package IGBT
 
 


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10 100
100
1000
t
f
t
r
t
t
切换 时间 vs. r
G
V
CC
=600v, i
C
=15a, v
GE
=±15v, t
j
=25°C
切换 时间 : t
, t
r
, t
, t
f
[nsec]
门 阻抗 : r
G
[
]
10 100
100
1000
t
f
t
r
t
t
切换 时间 vs. r
G
V
CC
=600v, i
C
=15a, v
GE
=±15v, t
j
=125°C
切换 时间 : t
, t
r
, t
, t
f
[nsec]
门 阻抗 : r
G
[
]
0 5 10 15 20 25 30 35
10
100
1000
10000
C
res
C
oes
C
ies
电容 vs. 集电级-发射级 电压
T
j
=25°C
电容 : c
oes
C
res
C
ies
[pF]
0 50 100 150 200 250
0
200
400
600
800
1000
集电级-发射级 电压 : v
CE
[V]
门 承担 : q
G
[nQ]
0
5
10
15
20
25
800V
600V
V
CC
=
400V
门-发射级 电压 : v
GE
[V]
动态 输入 特性
T
j
=25°C
0 5 10 15 20 25 30
0
50
100
150
200
25°C
125°C
反转 恢复 时间 vs. 向前 电流
V
R
=200v,
-di
/
dt
=100a/µsec
反转 恢复 时间 : t
rr
[nsec]
向前 电流 : i
F
[A]
0 5 10 15 20 25 30
0
2
4
6
8
10
25°C
125°C
反转 恢复 电流 vs. 向前 电流
V
R
=200v,
-di
/
dt
=100a/µsec
反转 恢复 电流 : i
rr
[A]
向前 电流 : i
F
[A]
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