2002 8月 23 13
飞利浦 半导体 产品 规格
GreenChip
TM
ii smps 控制 ic
tea1533p; tea1533ap
特性
T
amb
=25
°
c; v
CC
= 15 v; 所有 电压 是 量过的 和 遵守 至 地面; 电流 是 积极的 当 flowing 在
这 ic; 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
开始-向上 电流 源 (管脚 流)
I
流
供应 电流 描绘 从
管脚 流
V
CC
=0v; v
流
> 100 V 1.0 1.2 1.4 毫安
和 auxiliary 供应;
V
流
> 100 V
−
100 300
µ
一个
BV
DSS
损坏 电压 650
−−
V
m-水平的 mains-依赖 运作
enabling 水平的
60
−
100 V
供应 电压 管理 (管脚 V
CC
)
V
cc(开始)
开始-向上 电压 在 v
CC
10.3 11 11.7 V
V
cc(uvlo)
欠压 锁-输出 在 v
CC
8.1 8.7 9.3 V
V
cc(hys)
hysteresis 电压 在 v
CC
V
cc(开始)
−
V
cc(uvlo)
2.0 2.3 2.6 V
I
cc(h)
管脚 V
CC
charging 电流, 高 V
流
> 100 v; v
CC
<3v
−
1.2
−
1
−
0.8 毫安
I
cc(l)
管脚 V
CC
charging 电流, 低 V
流
> 100 v;
3v<v
CC
<v
cc(uvlo)
−
1.2
−
0.75
−
0.45 毫安
I
cc(重新开始)
管脚 V
CC
重新开始 电流 V
流
> 100 v;
V
cc(uvlo)
<v
CC
<v
cc(开始)
−
650
−
550
−
450
µ
一个
I
cc(oper)
供应 电流 下面 正常的
运作
非 加载 在 管脚 驱动器 1.1 1.3 1.5 毫安
I
cc(burstmode)
供应 电流 当 不 切换
−
0.85
−
毫安
demagnetization 管理 (管脚 dem)
V
th(dem)
demagnetization 比较器
门槛 电压 在 管脚 DEM
50 100 150 mV
I
prot(dem)
保护 电流 在 管脚 DEM V
DEM
=50mV
−
50
(1)
−−
10 nA
V
clamp(dem)(neg)
负的 clamp 电压 在
管脚 DEM
I
DEM
=
−
150
µ
一个
−
0.5
−
0.25
−
0.05 V
V
clamp(dem)(pos)
积极的 clamp 电压 在
管脚 DEM
I
DEM
= 250
µ
一个 0.5 0.7 0.9 V
t
suppr
抑制 的 变压器
ringing 在 开始 的 secondary
stroke
1.1 1.5 1.9
µ
s
脉冲波 宽度 modulator
t
在(最小值)
最小 在-时间
−
t
leb
−
ns
t
在(最大值)
最大 在-时间 latched 40 50 60
µ
s
振荡器
f
osc(l)
振荡器 低 fixed 频率 V
CTRL
> 1.5 V 20 25 30 kHz
f
osc(h)
振荡器 高 fixed 频率 V
CTRL
< 1 V 145 175 205 kHz
V
vco(开始)
顶峰 电压 在 管脚 I
sense
, 在哪里
频率 减少 开始
看 Figs 6 和 7
−
VCO
1
−
mV
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