十一月 1994 24
飞利浦 半导体 产品 规格
演说 和 listening-在 ic tea1096; tea1096a
扬声器 amplifier (lsi 和 qls)
|Z
i
| 输入 阻抗 在 管脚
lsi 和 v
EE
8 1012k
Ω
G
vlx
电压 增益 从 管脚 lsi
至 qls
V
LSI
= 10 mv (rms) 34 35.5 37 dB
∆
G
vlxT
电压 增益 变化 和
温度 关联
至 25
°
C
T
amb
=
−
25 至 +75
°
C
−±
0.5
−
dB
∆
G
vlxf
电压 增益 变化 和
频率 关联 至 1 kHz
f = 300 至 3400 Hz
−±
0.5
−
dB
V
qls(p-p)
输出 电压 在 管脚
qls 和 v
EE
(顶峰-至-顶峰
值)
V
LSI
=18mv;
I
线条
=16mA
1.2 1.45
−
V
V
LSI
=18mv;
I
线条
=20mA
2.5 2.9
−
V
V
nolx(rms)
噪音 输出 电压 在 管脚 ln
(rms 值)
管脚 lsi 打开-电路;
Psophometrically
weighted (p53 曲线)
−
200
−µ
V
动态 limiter 为 这 扬声器 amplifier (dll/dil); related 至 这 扬声器 amplifier 修剪 探测器
THD 总的 调和的 扭曲量 V
LSI
=18mv+0db;
I
线条
=30mA
−
25%
t
att
attack 时间 当 v
LSI
jumps
从 18 mv 至 18 mV + 0 dB
I
线条
=30ma;
C
DLL
= 470 nF
−
1.5 5 ms
t
rel
释放 时间 当 v
LSI
drops
从 18 mv + 0 db 至 18 mV
I
线条
=30ma;
C
DLL
= 470 nF
30 60
−
ms
动态 limiter 为 这 扬声器 amplifier (dll/dil); related 至 这 v
BB
门槛 探测器
V
bb(th)
V
BB
limiter 门槛 探测器
水平的
−
2.8
−
V
t
att
attack 时间 当 v
BB
jumps
在下 v
bb(th)
C
DLL
= 470 nF
−
1
−
ms
容积 控制 为 这 扬声器 amplifier (vci) (tea1096a 仅有的); related 至 这 扬声器 amplifier
容积 控制
|Z
i
| 输入 阻抗
−
1
−
M
Ω
V
VCImin
最小 直流 水平的 在 管脚 vci
为 0 db 控制 在 扬声器
amplifier
I
线条
=30ma;
V
LSI
= 10 mv (rms)
−
2.8
−
V
V
VCI
直流 水平的 在 管脚 vci 为
−
6dB
控制 在 扬声器 amplifier
I
线条
=30ma;
v
LSI
= 10 mv (rms)
−
1.63
−
V
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
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