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资料编号:287199
 
资料名称:EBE11UD8AESA
 
文件大小: 214.62K
   
说明
 
介绍:
1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
EBE11UD8AESA
数据 薄板 e0589e30 (ver. 3.0)
12
直流 特性 2 (tc = 0°c 至 +85
°
c, vdd, vddq = 1.8v
±
0.1v)
(ddr2 sdram 组件 规格)
参数 标识 值 单位 注释
输入 泄漏 电流
ILI
2
µ
一个 vdd
VIN
VSS
输出 泄漏 电流
ILO
5
µ
一个 vddq
VOUT
VSS
最小 必需的 输出 拉-向上 下面 交流
测试 加载
VOH vtt + 0.603 V 5
最大 必需的 输出 拉-向下 下面
交流 测试 加载
vol vtt
0.603 V 5
输出 定时 度量 涉及 水平的 VOTR 0.5
×
VDDQ V 1
输出 最小 下沉 直流 电流 IOL +13.4 毫安 3, 4, 5
输出 最小 源 直流 电流 IOH
13.4 毫安 2, 4, 5
注释: 1. 这 vddq 的 这 device 下面 测试 是 关联.
2. vddq = 1.7v; vout = 1.42v.
3. vddq = 1.7v; vout = 0.28v.
4. 这 直流 值 的 vref 应用 至 这 接到 设备 是 预期的 至 是 设置 至 vtt.
5. 之后 ocd 校准 至 18
在 tc = 25
°
c, vdd = vddq = 1.8v.
直流 特性 3 (tc = 0°c 至 +85
°
c, vdd, vddq = 1.8v
±
0.1v)
(ddr2 sdram 组件 规格)
参数 标识 最小值 最大值 单位 注释
交流 差别的 输入 电压 vid (交流) 0.5 VDDQ
+
0.6 V 1, 2
交流 差别的 交叉 要点 电压 vix (交流) 0.5
×
VDDQ
0.175 0.5
×
VDDQ
+
0.175 V 2
交流 差别的 交叉 要点 电压 vox (交流) 0.5
×
VDDQ
0.125 0.5
×
VDDQ
+
0.125 V 3
注释: 1. vid(交流) specifies 这 输入差别的 电压 |vtr -vcp| 必需的为 切换, 在哪里 vtr 是 这 真实
输入 信号 (此类 作 ck, dqs, ldqs 或者 udqs)和 vcp 是 这 complementary 输入 信号 (此类 作
/ck, /dqs, /ldqs 或者 /udqs). 这最小 值 是 equal 至 vih(交流)
vil(交流).
2. 这 典型 值 的 vix(交流) 是 预期的 至 是 关于 0.5
×
vddq 的 这 transmitting 设备 和 vix(交流)
是 预期的 至 追踪 变化 在 vddq . vix(交流) indicates 这 电压 在 这个 差别的 输入 信号
必须 交叉.
3. 这 典型 值 的 vox(交流) 是 预期的 至 是 关于 0.5
×
vddq 的 这 transmitting 设备 和
vox(交流) 是 预期的 至 追踪 变化 在 vddq .vox(交流) indicates 这 电压 在 这个 差别的
输出 信号 必须 交叉.
越过 要点
VSSQ
VTR
VCP
VID
vix 或者 vox
VDDQ
差别的 信号 levels*1, 2
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