flash 记忆 (flash)
flash 控制 寄存器
mc68h(r)c908jl3e/jk3e/jk1e
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rev. 2.0 技术的 数据
MOTOROLA flash 记忆 (flash) 45
4.4 flash 控制 寄存器
这 flash 控制 寄存器 控制 flash 程序 和 擦掉
行动.
hven — 高 电压 使能 位
这个 读/写 位 使能 高 电压 从 这 承担 打气 至 这
记忆 为 也 程序 或者 擦掉 运作. 它 能 仅有的 是 设置 如果
也 pgm=1 或者 擦掉=1 和 这 恰当的 sequence 为 程序 或者
擦掉 是 followed.
1 = 高 电压 使能 至 排列 和 承担 打气 在
0 = 高 电压 无能 至 排列 和 承担 打气 止
mass — mass 擦掉 控制 位
这个 读/写 位 configures 这 记忆 为 mass 擦掉 运作 或者
页 擦掉 运作 当 这 擦掉 位 是 设置.
1 = mass 擦掉 运作 选择
0 = 页 擦掉 运作 选择
擦掉 — 擦掉 控制 位
这个 读/写 位 configures 这 记忆 为 擦掉 运作. 这个 位
和 这 pgm 位 应当 不 是 设置 至 1 在 这 一样 时间.
1 = 擦掉 运作 选择
0 = 擦掉 运作 不 选择
pgm — 程序 控制 位
这个 读/写 位 configures 这 记忆 为 程序 运作. 这个
位 和 这 擦掉 位 应当 不 是 设置 至 1 在 这 一样 时间.
1 = 程序 运作 选择
0 = 程序 运作 不 选择
地址: $FE08
位 7654321bit 0
读: 0000
HVEN MASS 擦掉 PGM
写:
重置:00000000
图示 4-2. flash 控制 寄存器 (flcr)
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