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资料编号:289500
 
资料名称:EDD1216AATA-5C-E
 
文件大小: 556.54K
   
说明
 
介绍:
128M bits DDR SDRAM (8M words x 16 bits, DDR400)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
edd1216aata-5
数据 薄板 e0443e40 (ver. 4.0)
24
CK
/ck
VTT
VTT
DQS
DQ
cl = 3
Command
t0 t0.5 t1 t1.5 t2 t2.5 t3 t3.5 t4 t4.5 t5 t5.5
out0 out1 out2 out3
tRPST
tac,tdqsck
NOP
tRPRE
读 运作 (/cas latency)
写 运作
这 burst 长度 (bl) 和 这 burst 类型 (bt) 的 这 模式寄存器 是 涉及 当 一个 写 command 是 issued.
这 burst 长度 (bl) 确定 这 长度的 一个 sequential 数据 输入 用 这 write command 那 能 是 设置 至 2, 4,
或者 8. 这 latency 从 写 command 至数据 输入 是 fixed 至 1. 这 开始 地址 的 这 burst 读 是 定义 用
这 column 地址, 这 bank 选择 地址 这个 是 承载通过 这 a0 至 a11, ba0 至 ba1 管脚 在 这 循环 当
这 写 command 是 issued. dqs 应当 是 输入 作 the strobe 为 这 输入-数据和 dm 作 好 在 burst
运作. twpre 较早的 至 这 第一 rising 边缘 的 这 dqs应当 是 设置 至 低 和 twpst 之后 这 last 下落 边缘
的 这 数据 strobe 能 是 设置 至 高-z. 这 leading 低时期 的 dqs 是 涉及 作 写 preamble. 这 last 低
时期 的 dqs 是 涉及 作 写 postamble.
in1
in0 in1 in2 in3
in0 in1 in2 in3
in4 in5 in6 in7
CK
/ck
地址
DQS
DQ
bl = 2
bl = 4
bl = 8
Command
bl: burst 长度
t1t0 tn
tn+0.5 tn+1 tn+2 tn+3 tn+4
tn+5
in0
ACTNOP NOP NOPWRITE
tWPRE
tWPRES
;;
;;;
;
;
Column
tRCD
tWPST
写 运作
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