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资料编号:290042
 
资料名称:EDS2532EEBH-9A-E
 
文件大小: 718.64K
   
说明
 
介绍:
256M bits SDRAM (8M words x 32 bits)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
eds2532eebh-9a
初步的 数据 薄板 e0617e40 (ver. 4.0)
22
模式 寄存器 和 扩展 模式 寄存器 配置
模式 寄存器 设置
这 模式 寄存器 是 设置 用 这 输入 至 这 地址 管脚(a0 至 a11, ba0 和 ba1) 在 模式 寄存器 设置 循环.
这 模式 寄存器 组成 的 five sections, 各自 的 这个 是 assigned 至 地址 管脚.
ba1, ba0, a8, a9, a10, a11: (opcode): 这 sdram 有 two 类型 的 写 模式. one 是 这 burst 写 模式,
和 这 其它 是 这 单独的 写 模式.这些 位 具体说明 写 模式.
burst 读 和 burst 写: burst 写 是 执行 为 the 指定 burst 长度 starting 从 这 column 地址
指定 在 这 写 循环.
burst 读 和 单独的 写: 数据 是 仅有的 写 至 这column 地址 指定 在 这 写 循环, regardless 的
这 burst 长度.
a7: 保持 这个 位 低 在 这 模式 寄存器 设置 循环.如果 这个 管脚 是 高, 这 vender 测试 模式 是 设置.
a6, a5, a4: (lmode): 这些 管脚 具体说明 这 /cas latency.
a3: (bt): 一个 burst 类型 是 指定.
a2, a1, a0: (bl): 这些 管脚 具体说明 这 burst length.
A2 A1 A0
burst 长度
000
1
001
2
010
4
011 8
111
BT=0 BT=1
100 R
110 R
1
2
4
8
R
R
R
A3
0 Sequential
1 Interleave
burst typea6 A5 A4 cas latency
000
R
001
R
010
2
011 3
1XX R
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
OPCODE 0 LMODE BT BL
A9
0
0R
写 模式
A8
0
1
burst 读 和 burst 写
1 burst 读 和 单独的 写
0
1R
1
101 R R
f.p.: 全部 页
r 是 保留 (inhibit)
x: 0 或者 1
A11
A10
A10
X
X
X
A11
X
X
X
00
BA0BA1
BA1
BA0
X
X
X
0
X
0R0XX10
0R0XX01
0R0XX11
X
X
0
f.p.
模式 寄存器 设置
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