ee-sb5m/sb5mc/sb5v/sb5vc/sb5v-eee-sb5m/sb5mc/sb5v/sb5vc/sb5v-e
规格 表格
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Item
Reflective
ee-sb5m ee-sb5mc ee-sb5v(-e) ee-sb5vc
控制 输出 在 5 至 24 vdc: 80-毫安 加载 电流 (i
C
) 和 一个 residual 电压 的 0.8 V 最大值
当 驱动 ttl: 40-毫安 加载 电流 (i
C
) 和 一个 residual 电压 的 0.4 V 最大值
输出
配置
晶体管 在 输出 平台
没有 detecting 物体
止 在 止 在
晶体管 在 输出 平台
和 detecting 物体
在 止 在 止
回馈 frequency* 50 Hz
连接 方法 ee-1001/1006 连接器; 焊接 terminals
明亮的 源 GaAs infrared LED 和 一个 顶峰 wavelength 的 940 nm
接受者 Si photo-晶体管 和 一个 感觉到 wavelength 的 850 nm 最大值
*The 回馈 频率 是 量过的 用 detecting 这 下列的 disks rotating.
Disk
15 mm
15 mm
15 mm
5mm
200 mm
dia.
特性
包围的 温度
运行 -25
°
Cto55
°
C (-13
°
F 至 131
°
f)
存储 -30
°
Cto80
°
C (-22
°
F 至 176
°
f)
包围的 湿度
运行 45% 至 85%
y
存储 35% 至 95%
震动 阻抗 destruction: 20 至 2,000 Hz (和 一个 顶峰 acceleration 的 20g’s), 1.5-mm 翻倍 振幅 为
4 最小值 各自 在 x, y, 和 Z 方向
Shock 阻抗 destruction: 500 m/s
2
为 3 时间 各自 在 x, y, 和 Z 方向
焊接 热温 阻抗 260
°±
5
°
C (看 便条.) 当 这 portion 在 这 tip 的 这 terminals 和 这 位置
1.5 mm 从 这 终端 根基 是 dipped 在 这 焊盘 为 10
±
1 秒
便条: 这个 遵从 至 mil-标准-750-2031-1.
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