MAX1813
dynamically-可调整的, 同步的 步伐-向下
控制 和 整体的 电压 安置
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放 电压 在 25mv increments 在 这 时钟 比率 设置 用
R
时间
直到 这 max1813 reaches 这 选择 输出
电压. 这 max1813 做 不 特性 传统的 vari-
能 电流-限制 软-开始, 所以 全部 输出 电流 是
立即 有. once 这 回转-比率 控制 ter-
minates, 输出 欠压 故障 blanking 时期
ends, 和 这 输出 电压 是 在 规章制度, pgood
变得 高.
leave skp/
SDN
floating 为 强迫-pwm 运作, 或者
连接 skp/
SDN
至 v
CC
为 正常的 运作. 在
所有 transitions, 这 max1813 使用 pwm 模式 当 这
回转-比率 控制 是 起作用的. exiting 关闭 clears
这 故障 获得.
电流-限制 电路 (ilim)
这 电流-限制 电路 雇用 一个 唯一的
“
valley
”
cur-
rent-感觉到 algorithm. 如果 这 电流-sense 信号 是
在之上 这 电流-限制 门槛, 这 max1813 将 不
initiate 一个 新 循环 (图示 4). 这 真实的 顶峰 电流
是 更好 比 这 电流-限制 门槛 用 一个 数量
equal 至 这 inductor 波纹 电流. 因此 这 精确的
电流-限制 典型的 和 最大 加载 capabili-
ty 是 一个 函数 的 这 电流-限制 门槛, inductor
值, 和 输入 电压. 这 reward 为 这个 uncertainty
是 强健的, 丧失-较少 在-电流 感觉到. 当 com-
bined 和 这 欠压 保护 电路, 这个 cur-
rent-限制 方法 是 有效的 在 almost 每
circumstance.
那里 是 也 一个 负的 电流 限制 那 阻止
过度的 反转 inductor 电流 当 v
输出
是 下沉-
ing 电流. 这 负的 电流-限制 门槛 是 设置 至
大概 120% 的 这 积极的 电流 限制 和
因此 轨道 这 积极的 电流 限制 当 ilim 是
调整.
这 max1813 measures 这 电流 用 感觉到 这
电压 在 vpcs 和 pgnd. 连接 一个 外部
sense 电阻 在 这 源 的 这 低-一侧 n-
频道 场效应晶体管 和 pgnd. 这 信号 提供 用
这个 电流-sense 电阻 是 也 使用 为 电压 posi-
tioning (看
设置 电压 安置
). 减少 这
sense 电压 增加 这 相关的 度量
错误. 不管怎样, 这 配置 排除 这 uncer-
tainty 的 使用 这 低-一侧 场效应晶体管 在-阻抗 至
measure 这 电流, 所以 这 结果 电流-限制 toler-
ance 是 tighter 当 感觉到 和 一个 1% sense 电阻.
这 电压 在 ilim sets 这 电流-限制 门槛. 为
电压 从 500mv 至 2v, 这 电流-限制 门槛
电压 是 precisely 0.1 x v
ILIM
. 设置 这个 电压 和 一个
resistive 分隔物 在 ref 和 地. 这 电流-
限制 门槛 defaults 至 50mv 当 ilim 是 系 至
V
CC
. 这 逻辑 门槛 为 switchover 至 这个 50mv
default 值 是 大概 v
CC
- 1v.
carefully 注意到 这 pc 板 布局 指导原则 至
确保 那 噪音 和 直流 errors don
’
t corrupt 这 cur-
rent-sense 信号 seen 用 vpcs 和 地. 这 ic
必须 是 挂载 关闭 至 这 电流-sense 电阻
和 短的, 直接 查出 制造 一个 kelvin sense connec-
tion (看
pc 板 布局 指导原则
).
场效应晶体管 门 驱动器 (dh 和 dl)
这 dh 和 dl 驱动器 是 优化 为 驱动 mod-
erate-sized, 高-一侧 和 大, 低-一侧 电源
mosfets. 这个 是 consistent 和 这 低 职责 因素
seen 在 这 notebook cpu 环境, 在哪里 一个 大
V
在
- v
输出
差别的 exists. 一个 adaptive dead-时间
电路 monitors 这 dl 输出 和 阻止 这 高-
一侧 场效应晶体管 从 turning 在 直到 dl 是 全部地 止. 那里 必须
是 一个 低-阻抗, 低-电感 path 从 这 dl
驱动器 至 这 场效应晶体管 门 为 这 adaptive dead-时间
电路 至 工作 合适的. 否则, 这 sense 电路系统
在 这 max1813 将 interpret 这 场效应晶体管 门 作
“
止
”
当 那里 是 的确 承担 安静的 left 在 这 门. 使用
非常 短的, 宽 查出 (50 至 100 毫英寸 宽 如果 这 mos-
场效应晶体管 是 1 inch 从 这 设备). 这 dead 时间 在 这
其它 边缘 (dh turning 止) 是 决定 用 一个 fixed
35ns 内部的 延迟.
这 内部的 pulldown 晶体管 那 驱动 dl 低 是
强健的, 和 一个 0.4
Ω
(典型值) 在-阻抗. 这个 helps 前-
vent dl 从 正在 牵引的 向上 在 这 快 上升-时间
的 这 lx node, 预定的 至 电容的 连接 从 这
流 至 这 门 的 这 低-一侧 同步的-整流器
场效应晶体管. 不管怎样, 为 高-电流 产品, 一些
结合体 的 高- 和 低-一侧 fets 将 导致
过度的 门-流 连接, leading 至 poor
inductor 电流
I
限制
I
加载
0 时间
I
顶峰
图示 4.
“
Valley
”
电流-限制 门槛 要点
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