MAX1718
notebook cpu 步伐-向下 控制 为 intel
mobile 电压 安置 (imvp
-
ii)
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步伐. 这 数量 的 输出 sag 是 也 一个 函数 的
这 最大 职责 因素, 这个 能 是 计算
从 这 在-时间 和 最小 止-时间:
在哪里 t
止(最小值)
是 这 最小 止-时间 (看 这
电的 特性
tables) 和 k 是 从 表格 2.
inductor 选择
这 切换 频率 和 运行 要点 (% 波纹 或者
lir) 决定 这 inductor 值 作 跟随:
例子: i
加载(最大值)
= 19a, v
在
= 7v, v
输出
= 1.25v,
f
SW
= 300khz, 30% 波纹 电流 或者 lir = 0.30.
find 一个 低-丧失 inductor having 这 最低 可能 直流
阻抗 那 合适的 在 这 allotted 维度. ferrite
cores 是 常常 这 最好的 选择, 虽然 powdered
iron 是 inexpensive 和 能 工作 好 在 200khz. 这
核心 必须 是 大 足够的 不 至 使湿透 在 这 顶峰
inductor 电流 (i
顶峰
).
I
顶峰
= i
加载(最大值)
+ (lir / 2) i
加载(最大值)
设置 这 电流 限制
这 最小 电流-限制 门槛 必须 是 好
足够的 至 支持 这 最大 加载 电流 当 这
电流 限制 是 在 这 最小 容忍 值. 这 valley
的 这 inductor 电流 occurs 在 i
加载(最大值)
minus half
的 这 波纹 电流; 因此:
I
限制(低)
> i
加载(最大值)
- (lir / 2) i
加载(最大值)
在哪里 i
限制(低)
相等 这 最小 电流-限制
门槛 电压 分隔 用 这 r
ds(在)
的 q2. 为 这
max1718 图示 1 电路, 这 最小 电流-限制
门槛 和 v
ILIM
= 105mv 是 关于 95mv. 使用 这
worst-情况 最大 值 为 r
ds(在)
从 这 mos-
场效应晶体管 q2 数据 薄板, 和 增加 一些 余裕 为 这 上升 在
R
ds(在)
和 温度. 一个 好的 一般 rule 是 至
准许 0.5% 额外的 阻抗 为 各自
°
c 的 temper-
ature 上升.
examining 这 图示 1 例子 和 一个 q2 最大
R
ds(在)
= 3.8m
Ω
在 t
J
= +25
°
c 和 5.7m
Ω
在 t
J
=
+125
°
c reveals 这 下列的:
I
限制(低)
= 95mv / 5.7m
Ω
= 16.7a
和 这 必需的 valley 电流 限制 是:
I
限制(低)
> 19a - (0.30 / 2) 19a = 16.2a
自从 16.7a 是 更好 比 这 必需的 16.2a, 这 cir-
cuit 能 deliver 这 全部-评估 19a.
当 传送 19a 的 输出 电流, 这 worst-情况
电源 消耗 的 q2 是 1.95w. 和 一个 热的 resis-
tance 的 60
°
c/w 和 各自 场效应晶体管 dissipating 0.98w,
这 温度 上升 的 这 mosfets 是 60
°
c/w
✕
0.98w = 58
°
c, 和 这 最大 包围的 温度
是 +125
°
c - 58
°
c = +67
°
c. 至 运作 在 一个 高等级的
包围的 温度, choose 更小的 r
ds(在)
MOSFETs
或者 减少 这 热的 阻抗. raising 这 电流-
限制 门槛 准许 为 运作 和 一个 高等级的 mos-
场效应晶体管 接合面 温度.
连接 ilim 至 v
CC
为 一个 default 100mv 电流-限制
门槛. 为 一个 可调整的 门槛, 连接 一个 电阻
分隔物 从 ref 至 地, 和 ilim 连接 至 这
中心 tap. 这 外部 调整 范围 的 0.5v 至 3.0v
corresponds 至 一个 电流-限制 门槛 的 50mv 至
300mv. 当 调整 这 电流 限制, 使用 1% toler-
ance 电阻器 和 一个 10µa 分隔物 电流 至 阻止 一个
重大的 增加 的 errors 在 这 电流-限制 toler-
ance.
输出 电容 选择
这 输出 过滤 电容 必须 有 低 足够的 有效的
序列 阻抗 (等效串联电阻) 至 满足 输出 波纹 和 加载-
瞬时 (所需的)东西, 还 有 高 足够的 等效串联电阻 至
satisfy 稳固 (所需的)东西. 也, 这 电容
值 必须 是 高 足够的 至 absorb 这 inductor 活力
going 从 一个 全部-加载 至 非-加载 情况 没有 tripping
这 ovp 电路.
在 cpu v
核心
转换器 和 其它 产品 在哪里
这 输出 是 主题 至 violent 加载 过往旅客, 这 输出
电容
’
s 大小 典型地 取决于 在 如何 更 等效串联电阻 是
需要 至 阻止 这 输出 从 dipping too 低
下面 一个 加载 瞬时. ignoring 这 sag 预定的 至 finite
电容:
R
等效串联电阻
≤
V
步伐
/ i
加载(最大值)
这 真实的 microfarad 电容 值 必需的 常常
relates 至 这 物理的 大小 需要 至 达到 低 等效串联电阻,
作 好 作 至 这 chemistry 的 这 电容 技术.
因此, 这 电容 是 通常地 选择 用 等效串联电阻 和 volt-
L
VV V
V kHz 一个
H
=
−
×××
=
125 7 125
7 300 0 30 19
060
.( .)
.
.
µ
L
VV V
V LIR I
输出 在 输出
在 SW 加载 最大值
f
=
−
()
×××
()
V
II LK
V
V
t
CVK
VV
V
t
SAG
加载 加载
输出
在
止 最小值
输出 输出
在 输出
在
止 最小值
=
−× +
××
−
−
()
()
()
12
2
2
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