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资料编号:302383
 
资料名称:MAX4559ESE
 
文件大小: 305.17K
   
说明
 
介绍:
【15kV ESD-Protected, Low-Voltage, CMOS Analog Multiplexers/Switches
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
max4558/max4559/max4560
静电释放 测试 情况
静电释放 效能 取决于 在 一些 情况.
联系 maxim 为 一个 可靠性 report 那 documents
测试 建制, methodology, 和 结果.
人 身体 模型
图示 6 显示 这 人 身体 模型, 和 图示 7
显示 这 电流 波形 它 发生 当 dis-
charged 在 一个 低 阻抗. 这个 模型 组成 的
一个 100pf 电容 charged 至 这 静电释放 电压 的 inter-
est, 这个 是 然后 释放 在 这 测试 设备
通过 一个 1.5k
电阻.
电源-供应 仔细考虑
这 max4558/max4559/max4560 是 典型 的 大多数
cmos 相似物 switches. 它们 有 三 供应 管脚:
V
CC
, v
EE
, 和 地. v
CC
和 v
EE
驱动 这 内部的
cmos switches 和 设置 这 限制 的 这 相似物 电压
在 每 转变. 内部的 反转 静电释放-保护 二极管
连接 在 各自 相似物 信号 管脚 和 两个都 v
CC
和 v
EE
. 如果 任何 相似物 信号 超过 v
CC
或者 v
EE
, 一个
的 这些 二极管 conducts. 这 仅有的 电流 描绘
从 v
CC
或者 v
EE
在 正常的 运作 是 这 leak-
age 电流 的 这些 静电释放 二极管.
虽然 这 静电释放 二极管 在 一个 给 信号 管脚 是
完全同样的 和 因此 fairly 好 保持平衡, 它们 是
反转 片面的 differently. 各自 是 片面的 用 也 v
CC
或者 v
EE
和 这 相似物 信号. 它们的 泄漏 电流
相异 作 这 信号 varies. 这 区别 在 这 二
二极管 leakages 至 这 v
CC
和 v
EE
管脚 constitutes 这
相似物 信号-path 泄漏 电流. 所有 相似物 泄漏
电流 flows 在 各自 输入 和 一个 的 这 供应
terminals, 不 至 这 其它 转变 终端. 这个 是 why
两个都 sides 的 一个 给 转变 能 显示 泄漏 电流
的 也 这 一样 或者 opposite 极性.
V
CC
和 地 电源 这 内部的 逻辑 和 逻辑-水平的
翻译, 和 设置 这 输入 逻辑 限制. 这 逻辑-水平的
翻译 转变 这 逻辑 水平 在 切换 v
CC
和 v
EE
信号 至 驱动 这 门 的 这 相似物 转变.
这个 驱动 信号 是 这 仅有的 连接 在 这
逻辑 供应 和 逻辑 信号 和 这 相似物 sup-
plies. v
CC
和 v
EE
有 静电释放-保护 二极管 至
地.
这 逻辑-水平的 门槛 是 ttl/cmos 兼容
当 v
CC
是 +5v. 作 v
CC
rises, 这 门槛 增加
slightly. 当 v
CC
reaches +12v, 这 门槛 是
关于 3.1v (在之上 这 ttl-有保证的 高-水平的 mini-
mum 的 2.4v, 但是 安静的 兼容 和 cmos 输出).
高-频率 效能
在 50
系统, 信号 回馈 是 合理地 flat 向上
在之上 20mhz, 这 在 回馈 有 一些 minor
顶峰 那 是 高级地 布局 依赖. 这 问题 是
不 turning 这 转变 在, 但是 turning 它 止. 这 止-状态
转变 acts 像 一个 电容 和 passes 高等级的 frequen-
cies 和 较少 attenuation. 在 1mhz, 止-分开 是
关于 -68db 在 50
系统, becoming worse (approx-
imately 20db 每 decade) 作 这 频率 增加.
高等级的 电路 阻抗 也 degrades 止-分开.
调整 频道 attenuation 是 关于 3db 在之上 那
的 一个 bare ic 插座 和 是 全部地 预定的 至 电容的
连接.
±15kv 静电释放-保护, 低-电压, cmos
相似物 multiplexers/switches
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