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进步 信息
4 mbit lpc flash
SST49LF040
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71213-00-000 11/01 562
表格 7: O
PERATION
M
ODES
S
ELECTION
(pp m
ODE
)
模式 RST# OE# WE# DQ 地址
读
V
IH
V
IL
V
IH
D
输出
一个
在
程序
V
IH
V
IH
V
IL
D
在
一个
在
擦掉
V
IH
V
IH
V
IL
X
1
sector 或者 块 地址,
xxh 为 碎片-擦掉
重置 V
IL
xxhigh z X
写 inhibit
V
IH
V
IL
xhigh z/d
输出
X
XX
V
IH
高 z/d
输出
X
产品 identification
V
IH
V
IL
V
IH
生产者’s id (bfh)
设备 id
2
看 表格 8
t7.2 562
1. x 能 是 v
IL
或者 v
IH
, 但是 非 其它 值.
2. 设备 id 51h 为 sst49lf040
表格 8: S
OFTWARE
C
OMMAND
S
EQUENCE
(一个
LL
I
NTERFACES
)
Command
Sequence
1st
1
循环
1. lpc 模式 使用 consecutive 写 循环 至 完全 一个 commandsequence; pp 模式 使用 consecutive 总线 循环 至 完全 一个
command sequence.
2nd
1
循环
3rd
1
循环
4th
1
循环
5th
1
循环
6th
1
循环
地址
2
2. yyyy = a[31:16]
在 lpc 模式, 在 sdp command sequence, yyyy 必须 是 within 记忆 地址 范围 指定 在 计算数量 4 和 5.
在 pp 模式, yyyy 能 是 v
IL
或者 v
IH
.
数据 地址
2
数据 地址
2
数据 地址
2
数据 地址
2
数据 地址
2
数据
字节-
程序
YYYY 5555H AAH YYYY 2AAAH 55H YYYY 5555H A0H PA
3
3. pa = 程序 字节 地址
数据
sector-
擦掉
YYYY 5555H AAH YYYY 2AAAH 55H YYYY 5555H 80H YYYY 5555H AAH YYYY 2AAAH 55H SAx
4
4. sax 为 sector-擦掉 地址
30H
块-擦掉
YYYY 5555H AAH YYYY 2AAAH 55H YYYY 5555H 80H YYYY 5555H AAH YYYY 2AAAH 55H BAx
5
5. bax 为 块-擦掉 地址
50H
碎片-擦掉
6
6. 碎片-擦掉 是 supported 在 pp 模式 仅有的
YYYY 5555H AAH YYYY 2AAAH 55H YYYY 5555H 80H YYYY 5555H AAH YYYY 2AAAH 55H YYYY 5555H 10H
软件
id entry
YYYY 5555H AAH YYYY 2AAAH 55H YYYY 5555H 90H 读 id
7
7. sst 生产者’s id = bfh, 是 读 和 一个
0
= 0.
和 一个
18
-一个
1
= 0; 49lf040 设备 id = 51h, 是 读 和 一个
0
= 1.
软件
id exit
8
8. 两个都 软件 id exit 行动 是 相等的
XXXX XXXXH F0H
软件
id exit
8
YYYY 5555H AAH YYYY 2AAAH 55H YYYY 5555H F0H
t8.3 562
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