进步 信息
4 mbit lpc flash
SST49LF040
17
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71213-00-000 11/01 562
绝对 最大 压力 比率
(应用 情况 更好 比 那些 列表 下面 “absolute 最大
压力 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 情况 或者 情况 更好 比 那些 定义 在 这 运算的 sections 的 这个
数据手册 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 压力 比率 情况 将 影响 设备 可靠性.)
温度 下面 偏差 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . .-55°c 至 +125°c
存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . -65°c 至 +150°c
d.c. 电压 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5v 至
V
DD
+0.5v
瞬时 电压 (<20 ns) 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -2.0v 至
V
DD
+2.0v
包装 电源 消耗 能力 (ta=25°c). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . 1.0w
表面 挂载 含铅的 焊接 温度 (3 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . 240°C
输出 short 电路 电流
1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50毫安
1. 输出 短接 为 非 更多 比 一个 第二. 非 更多 比 一个 输出 短接 在 一个 时间.
O
PERATING
R
ANGE
范围 包围的 温度 V
DD
商业的 0°c 至 +85°c 3.0-3.6v
交流 c
ONDITIONS
的
T
EST
输入 上升/下降 时间. . . . . . . . . . . . . . .3 ns
输出 加载. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .C
L
= 30 pf
看 计算数量 29 和 30
表格 9: 直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
(一个
LL
I
NTERFACE
)
标识 参数
限制
测试 情况
1
1. 测试 情况 应用 至 pp 模式.
最小值 最大值 单位
I
DD
起作用的 v
DD
电流 地址 输入=v
IL
/
V
IH
, 在 f=1/t
RC
最小值,
V
DD
=V
DD
最大值
读 12 毫安 OE#=
V
IL
, we#=
V
ih,
所有 i/os 打开
写
2
2. I
DD
起作用的 当 擦掉 或者 程序 是 在 progress.
24 毫安 OE#=
V
IH
, v
DD
=V
DD
最大值
I
SB
备用物品 v
DD
电流
(lpc 接口)
100 µA LFRAME#=V
IH
, f=33 mhz, ce#=v
IH
V
DD
=V
DD
最大值,
所有 其它 输入
≥
0.9 v
DD
或者
≤
0.1 v
DD
I
RY
3
3. 这 设备 是 在 准备好 模式 当 非 activity 是 在 这 lpc 总线.
准备好 模式 v
DD
电流 (lpc 接口) 10 毫安 LFRAME#=V
IL
, f=33 mhz, v
DD
=V
DD
最大值
所有 其它 输入
≥
0.9 v
DD
或者
≤
0.1 v
DD
I
I
输入 电流 为 ic:
id[3:0] 管脚 为 sst49lf040
id[3:1] 管脚 为 sst49lf080a
200 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 1 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
IHI
init# 输入 高 电压 1.1 V
DD
+0.5 V V
DD
=V
DD
最大值
V
ILI
init# 输入 低 电压 -0.5 0.4 V V
DD
=V
DD
最大值
V
IL
输入 低 电压 -0.5 0.3 v
DD
VV
DD
=V
DD
最小值
V
IH
输入 高 电压 0.5 v
DD
V
DD
+0.5 V V
DD
=V
DD
最大值
V
OL
输出 低 电压 0.1 v
DD
VI
OL
=1500µa, v
DD
=V
DD
最小值
V
OH
输出 高 电压 0.9 v
DD
VI
OH
=-500 µa, v
DD
=V
DD
最小值
t9.1 562
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