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资料编号:306508
 
资料名称:AM29F040-120PC
 
文件大小: 446.08K
   
说明
 
介绍:
4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
28 Am29F040
擦掉 和 程序编制 效能
注释:
1. 25
°
c, 5 v v
CC
, 100,000 循环.
2. 下面 worst 情况 情况 的 90
°
c, 4.5 v v
CC
, 100,000 循环.
3. 系统-水平的 overhead 是 defined 作 这 时间 必需的 至 execute 这 四 总线 循环 command 需要 至 程序 各自
字节. 在 这 preprogramming 步伐 的 这 embedded 擦掉 algorithm, 所有 字节 是 编写程序 至 00h 在之前 erasure.
4. 这 embedded algorithms 准许 为 1.8 ms 字节 程序 时间. dq5 = “1" 仅有的 之后 一个 字节 takes 这 theoretical 最大 时间
至 程序. 一个 minimal 号码 的 字节 将 需要 significantly 更多 程序编制 脉冲 比 这 典型 字节. 这 majority
的 这 字节 将 程序 在里面 一个 或者 二 脉冲 (7 至 14
µ
s). 这个 是 demonstrated 用 这 典型 和 最大 程序编制
时间 列表 在之上.
latchup 特性
包含 所有 管脚 除了 v
CC
. 测试 情况: v
CC
= 5.0 v, 一个 管脚 在 一个 时间.
lcc 管脚 电容
注释:
1. 抽样, 不 100% 测试.
2. 测试 情况 t
一个
= 25
°
c, f = 1.0 mhz.
tsop 管脚 电容
注释:
1. 抽样, 不 100% 测试.
2. 测试 情况 t
一个
= 25
°
c, f = 1.0 mhz.
参数 典型值 最大值 单位 Comments
sector 擦掉 时间 1.0 (便条 1) 8 excludes 00h 程序编制 较早的 至 erasure
碎片 擦掉 时间 8 (便条 1) 64 excludes 00h 程序编制 较早的 至 erasure
字节 程序编制 时间 7 (便条 1) 300 (便条 2)
µ
s excludes 系统-水平的 overhead (便条 3)
碎片 程序编制 时间 3.6 (便条 1) 10.8 (注释 2, 4) excludes 系统-水平的 overhead (便条 3)
最小值 最大值
输入 电压 和 遵守 至 v
SS
在 所有 i/o 管脚 –1.0 v V
CC
+ 1.0 v
V
CC
电流 –100 毫安 +100 毫安
参数 标识 参数 描述 测试 建制 典型值 最大值 单位
C
输入 电容 V
= 0 6 7.5 pF
C
输出
输出 电容 V
输出
= 0 8.5 12 pF
C
IN2
控制 管脚 电容 V
= 0 7.5 9 pF
参数 标识 参数 描述 测试 建制 典型值 最大值 单位
C
输入 电容 V
= 0 6 7.5 pF
C
输出
输出 电容 V
输出
= 0 8.5 12 pF
C
IN2
控制 管脚 电容 V
= 0 7.5 9 pF
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