flash 记忆
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SAMSUNG
K9f1g08q0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0 k9f1g16q0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0
k9f1g08u0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0 k9f1g16u0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0
k9f1g08u0m-vcb0,vib0,fcb0,fib0
直流 和 运行 特性
(推荐 运行 情况 否则 指出.)
参数 标识 测试 情况
k9f1gxxq0m(1.8v) k9f1gxxu0m(3.3v) 单位
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
operat-
ing
电流
页 读 和
串行 进入
ICC1
trc=50ns,CE=VIL
I输出=0mA
- 5 15 - 10 20
毫安
程序 ICC2 - - 5 15 - 10 20
擦掉 ICC3 - - 5 15 - 10 20
保卫-用 电流(ttl) ISB1 CE=VIH,WP=前=0v/vCC - - 1 - - 1
保卫-用 电流(cmos) ISB2
CE=VCC-0.2,
WP=前=0v/vCC
- 20 100 - 20 100
µ
一个
输入 泄漏 电流 ILI V在=0 至 vcc(最大值) - -
±
20 - -
±
20
输出 泄漏 电流 ILO V输出=0 至 vcc(最大值) - -
±
20 - -
±
20
输入 高 电压 VIH - VCC-0.4 -
VCC+
0.3
2.0 - VCC+0.3
V
输入 低 电压, 所有 输入 VIL - -0.3 - 0.4 -0.3 - 0.8
输出 高 电压 水平的 VOH
k9f1gxxq0m :iOH=-100
µ
一个
k9f1gxxu0m :iOH=-400
µ
一个
vcc-0.1 - - 2.4 - -
输出 低 电压 水平的
VOL
k9f1gxxq0m :iOL=100uA
k9f1gxxu0m :iOL=2.1ma
- - 0.1 - - 0.4
输出 低 电流(r/B) IOL(r/B)
k9f1gxxq0m :vOL=0.1v
k9f1gxxu0m :vOL=0.4v
3 4 - 8 10 - 毫安
推荐 运行 情况
(电压 涉及 至 地, k9f1gxxx0m-xcb0:T一个=0 至 70
°
c, k9f1gxxx0m-xib0:T一个=-40 至 85
°
c)
参数 标识
k9f1gxxq0m(1.8v)
k9f1gxxu0m(3.3v)
单位
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
供应 电压 VCC 1.70 1.8 1.95 2.7 3.3 3.6 V
供应 电压 VSS 0 0 0 0 0 0 V
绝对 最大 比率
便条
:
1. 最小 直流 电压 是 -0.6v 在 输入/输出 管脚. 在 transitions, 这个 水平的 将 undershoot 至 -2.0v 为 时期 <30ns.
最大 直流 电压 在 输入/输出 管脚 是 vcc,+0.3v 这个, 在 transitions, 将 越过 至 vCC+2.0v 为 时期 <20ns.
2. 永久的 设备 损坏 将 出现 如果 绝对 最大 比率 是 超过. 函数的 运作 应当 是 restricted 至 这情况
作 详细地 在 这 运算的 sections 的 这个 数据 薄板. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展 periods 将 影响 可靠性.
参数 标识
比率
单位
k9f1gxxq0m(1.8v) k9f1gxxu0m(3.3v)
电压 在 任何 管脚 相关的 至 vSS
V在/输出 -0.6 至 + 2.45 -0.6 至 + 4.6
V
VCC -0.2 至 + 2.45 -0.6 至 + 4.6
温度 下面 偏差
k9f1gxxx0m-xcb0
T偏差
-10 至 +125
°
C
k9f1gxxx0m-xib0 -40 至 +125
存储 温度
k9f1gxxx0m-xcb0
TSTG -65 至 +150
°
C
k9f1gxxx0m-xib0
短的 电路 电流 Ios 5 毫安
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