flash 记忆
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SAMSUNG
K9f1g08q0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0 k9f1g16q0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0
k9f1g08u0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0 k9f1g16u0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0
k9f1g08u0m-vcb0,vib0,fcb0,fib0
电容
(T一个=25
°
c, vCC=1.8v/3.3v, f=1.0mhz)
便条
: 电容 是 periodically 抽样 和 不 100% 测试.
Item 标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
输入/输出 电容 Ci/o VIL=0V - 10 pF
输入 电容 C在 V在=0V - 10 pF
有效的 块
便条
:
1. 这K9F1GXXX0M将 包含 invalid blocks 当 第一 运输. 额外的 invalid blocks 将 开发 当 正在 使用. 这 号码 的 有效的
blocks 是 提交 和 两个都 具体情况 的 invalid blocks 考虑. invalid blocks 是 定义 作 blocks 那 包含 一个 或者 更多bad 位. 做 不 擦掉
或者 程序 工厂-marked bad blocks.谈及 至 这 连结 技术的 注释 为 适合的 管理 的 invalid blocks.
2. 这 1st 块, 这个 是 放置 在 00h 块 地址, 是 全部地 有保证的 至 是 一个 有效的 块 和 做 不 需要 错误 correction.
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位
有效的 块 号码 NVB 1004 - 1024 Blocks
交流 测试 情况
(k9f1gxxx0m-xcb0 :ta=0 至 70
°
c, k9f1gxxx0m-xib0:ta=-40 至 85
°
C
k9f1gxxq0m : vcc=1.70v~1.95v, k9f1gxxu0m : vcc=2.7v~3.6v 除非 否则 指出)
参数 K9F1GXXQ0M K9F1GXXU0M
输入 脉冲波 水平 0v 至 vcc 0.4v 至 2.4v
输入 上升 和 下降 时间 5ns 5ns
输入 和 输出 定时 水平 vcc/2 1.5v
k9f1gxxq0m:输出 加载 (vcc:1.8v +/-10%)
k9f1gxxu0m:输出 加载 (vcc:3.0v +/-10%)
1 ttl 门 和 cl=30pf 1 ttl 门 和 cl=50pf
k9f1gxxu0m:输出 加载 (vcc:3.3v +/-10%) - 1 ttl 门 和 cl=100pf
程序 / 擦掉 特性
便条
: 1. 最大值 时间 的tCBSY取决于 在 定时 在 内部的 程序 completion 和 数据 在
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位
程序 时间 tPROG - 300 700
µ
s
dummy busy 时间 为 cache 程序 tCBSY 3 700
µ
s
号码 的 partial 程序 循环
在 这 一样 页
主要的 排列
Nop
- - 4 循环
spare 排列 - - 4 循环
块 擦掉 时间 tBERS - 2 3 ms
模式 选择
便条
: 1. x 能 是 vIL或者 vih.
2.WP和前应当 是 片面的 至 cmos 高 或者 cmos 低 为 备用物品.
CLE ALE CE 我们 RE WP 前 模式
H L L H X X
读 模式
command 输入
L H L H X X 地址 输入(4clock)
H L L H H X
写 模式
command 输入
L H L H H X 地址 输入(4clock)
L L L H H X 数据 输入
L L L H X X 数据 输出
X X X X H X X 在 读(busy)
X X X X X H X 在 程序(busy)
X X X X X H X 在 擦掉(busy)
X
X
(1)
X X X L X 写 保护
X X H X X
0v/vCC
(2)
0v/vCC
(2)
保卫-用
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