flash 记忆
14
SAMSUNG
K9f1g08q0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0 k9f1g16q0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0
k9f1g08u0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0 k9f1g16u0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0
k9f1g08u0m-vcb0,vib0,fcb0,fib0
与非 flash 技术的 注释
(持续)
程序 流动 chart
开始
i/o 6 = 1 ?
写 00h
i/o 0 = 0 ?
非
*
如果 ecc 是 使用, 这个 verification
写 80h
写 地址
写 数据
写 10h
读 状态 寄存器
写 地址
wait 为 tr 时间
核实 数据
失败
程序 完成
或者 r/b = 1 ?
程序 错误
Yes
非
Yes
*
程序 错误
通过
: 如果 程序 运作 结果 在 一个 错误, 编排 输出
这 块 包含 这 页 在 错误 和 copy 这
目标 数据 至 另一 块.
*
运作 是 不 需要.
错误 在 写 或者 读 运作
在里面 它的 生命 时间, 额外的 invalid blocks 将 开发 和 与非 flash 记忆. 谈及 至 这 资格 report 为 这 交流tual
数据.这 下列的 可能 失败 模式 应当 是 考虑 至 执行 一个 高级地 可依靠的 系统. 在 这 情况 的 状态 读失败-
ure 之后 擦掉 或者 程序, 块 替换 应当 是 完毕. 因为 程序 状态 失败 在 一个 页 程序 做 不 影响
这 数据 的 这 其它 页 在 这 一样 块, 块 替换 能 是 executed 和 一个 页-sized 缓存区 用 finding 一个 erased
empty 块 和 reprogramming 这 电流 目标 数据 和 copying 这 rest 的 这 replaced 块.至 改进 这 效率 的 mem-
ory 空间, 它 是 推荐 那 这 读 或者 verification 失败 预定的 至 单独的 位 错误 是 reclaimed 用 ecc 没有 任何 块
替换. 这 said 额外的 块 失败 比率 做 不 包含 那些 reclaimed blocks.
失败 模式 发现 和 countermeasure sequence
写
擦掉 失败 状态 读 之后 擦掉 --> 块 替换
程序 失败
状态 读 之后 程序 --> 块 替换
读 后面的 ( 核实 之后 程序) --> 块 替换
或者 ecc 纠正
读 单独的 位 失败 核实 ecc -> ecc 纠正
ECC
: 错误 correcting 代号 --> hamming 代号 等
例子) 1bit 纠正 &放大; 2bit 发现
写 30h
: 点此下载
