flash 记忆
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SAMSUNG
K9f1g08q0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0 k9f1g16q0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0
k9f1g08u0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0 k9f1g16u0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0
k9f1g08u0m-vcb0,vib0,fcb0,fib0
系统 接口 使用CEdon’t-小心.
为 一个 easier 系统 接口, CE将 是 inactive 在 这 数据-加载 或者 串行 进入 作 显示 在下. 这 内部的
2112byte(x8 设备) 或者 1056word(x16 设备) 数据 寄存器 是 使用 作 独立的 缓存区 为 这个 运作 和 这 系统
设计 gets 更多 有伸缩性的. 在 增加, 为 voice 或者 音频的 产品 这个 使用 慢 循环 时间 在 这 顺序 的 u-秒, de-activat-
ing ce 在 这 数据-加载 和 串行 进入 将 提供 重大的 savings 在 电源 消耗量.
图示 4. 程序 运作 和CEdon’t-小心.
CE
我们
tWP
tCH
tCS
地址(4cycles)80h 数据 输入
CE
CLE
ALE
我们
数据 输入
CEdon’t-小心
≈
≈
10h
地址(4cycle)00h
CE
CLE
ALE
我们
数据 输出(串行 进入)
CEdon’t-小心
≈
r/B
tR
RE
tCEA
输出
tREA
CE
RE
i/o0~7
图示 5. 读 运作 和CEdon’t-小心.
30h
i/ox
i/ox
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