flash 记忆
18
SAMSUNG
K9f1g08q0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0 k9f1g16q0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0
k9f1g08u0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0 k9f1g16u0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0
k9f1g08u0m-vcb0,vib0,fcb0,fib0
* 输入 数据 获得 循环
CE
CLE
我们
din 0
din 1
din final*
ALE
tALS
tCLH
tWC
tCH
tDS
tDH
tDS
tDH
tDS
tDH
tWP
tWH
tWP
tWP
* serial 进入 循环 之后 读
(cle=l,我们=h, ale=l)
RE
CE
r/B
Dout
Dout
Dout
tRC
tREA
tRR
tOH
tREA
tREH
tREA
tOH
tRHZ*
≈
≈
≈
≈≈≈≈
注释 :
转变 是 量过的
±
200mv 从 稳步的 状态 电压 和 加载.
这个 参数 是 抽样 和 不 100% 测试.
tCEA
i/ox
i/ox
≈
≈
≈
注释 :
din 最终 意思 2112(x8) 或者 1056(x16)
tCHZ*
tRHZ*
tRP